[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201710545380.0
• 申請日: 2017-07-06
• 公開（公告）號: CN107845396B
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 樸宣奎;李珉圭
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C8/14
• 分類號: G11C8/14;G11C8/08
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

公開了一種半導體存儲裝置。該半導體存儲裝置包括：第一存儲塊；以及第二存儲塊，所述第二存儲塊與所述第一存儲塊共享塊字線，其中，所述塊字線包括被設置為與所述第一存儲塊交疊的第一塊字線和被設置為與所述第二存儲塊交疊的第二塊字線。根據本公開，不太可能具有操作故障。

技術領域

本公開總體上涉及半導體存儲裝置及其制造方法，更具體，涉及一種不易發生操作故障的更可靠的半導體存儲裝置及其制造方法。

背景技術

通常，半導體存儲裝置可包括：單元陣列區域，其包括用于以存儲電荷的形式存儲數據的多個存儲單元；以及外圍區域，其包括用于對存儲單元執行包括編程、讀取和擦除操作在內的各種操作的多個操作電路組。

通常，存儲單元可被劃分成多個存儲塊。另外，操作電路組可包括：塊解碼器，其輸出用于選擇存儲塊中的任何一個存儲塊的塊選擇信號；以及開關組，其響應于塊選擇信號而將通過全局線施加的操作電壓傳送到所選擇的存儲塊。來自行解碼器的塊選擇信號可通過塊字線被施加到開關組。

在常規半導體存儲裝置的操作期間，已經觀察到塊字線可能斷開，導致半導體存儲裝置的操作故障。

發明內容

本公開提供了一種改進的半導體裝置，其解決了與現有技術關聯的上述問題。本公開提供了一種不太可能具有操作故障的改進的半導體存儲裝置及其制造方法。

對于本發明所屬技術領域的技術人員來說，通過下面描述的本發明的示例性實施方式，本發明的其它目的將變得顯而易見。

本公開的示例性實施方式提供一種半導體存儲裝置，該半導體存儲裝置包括：第一存儲塊；以及第二存儲塊，所述第二存儲塊與所述第一存儲塊共享塊字線，其中，所述塊字線包括被設置為與所述第一存儲塊交疊的第一塊字線和被設置為與所述第二存儲塊交疊的第二塊字線。

所述第一存儲塊可包括第一源極選擇線、第一漏極選擇線以及由設置在所述第一源極選擇線和所述第一漏極選擇線之間的多條第一字線形成的第一字線組，并且其中，所述第一塊字線可被設置為與所述第一源極選擇線和所述第一漏極選擇線之間的所述第一字線組交疊。

所述第二存儲塊可包括第二源極選擇線、第二漏極選擇線以及由設置在所述第二源極選擇線和所述第二漏極選擇線之間的多條第二字線形成的第二字線組，并且其中，所述第二塊字線可被設置為與所述第二源極選擇線和所述第二漏極選擇線之間的所述第二字線組交疊。

所述第一塊字線和所述第二塊字線可傳送塊選擇信號以用于選擇所述第二存儲塊。

所述塊字線還可包括第三塊字線，所述第三塊字線用于傳送所述塊選擇信號以用于選擇所述第一存儲塊。

本公開的另一示例性實施方式提供了一種半導體存儲裝置，該半導體存儲裝置包括：存儲器陣列，所述存儲器陣列包括第一存儲塊和第二存儲塊；第一開關組，所述第一開關組被配置為響應于塊選擇信號而將第一操作電壓傳送到所述第一存儲塊；第二開關組，所述第二開關組面向所述第一開關組，所述存儲器陣列插置在所述第一開關組和所述第二開關組之間，并且所述第二開關組被配置為響應于所述塊選擇信號而將第二操作電壓傳送到所述第二存儲塊；以及兩條或更多條塊字線，所述兩條或更多條塊字線與所述存儲器陣列交疊，在所述存儲器陣列上彼此間隔開，共同連接到所述第二開關組，并且被配置為將所述塊選擇信號傳送到所述第二開關組。

附圖說明

通過參照附圖詳細地描述本發明的各種實施方式，本發明的以上和其它特征以及優點將對本發明所屬領域的技術人員而言變得更加顯而易見，其中：

圖1是例示應用于半導體存儲裝置的共享塊結構的圖。

圖2是例示根據本公開的示例性實施方式的具有二元化(dualized)塊字線結構的半導體存儲裝置的圖。

圖3是根據本公開的示例性實施方式的第一存儲塊的平面圖。