[發明專利]晶片背面密封的方法在審
| 申請號： | 201710541857.8 | 申請日： | 2017-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN109216157A | 公開（公告）日： | 2019-01-15 |
| 發明（設計）人： | 肖德元 | 申請（專利權）人： | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201306 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶片 襯底 密封 背面 拋光 邊緣氧化物 邊緣斜角 襯底背面 多晶硅層 晶片背面 正面拋光 多晶硅 外延層 自摻雜 種晶 去除 清洗 生長 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶片背面密封的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
提供一完成雙面、邊緣和切口拋光的晶片襯底；
在所述晶片襯底的背面形成多晶硅層；
采用邊緣氧化物拋光的方法去除所述晶片襯底背面邊緣斜角處的多晶硅；
對所述晶片襯底進行正面拋光和清洗。
2.根據權利要求1所述的晶片背面密封的方法，其特征在于：采用硅膠分散漿料完成所述晶片襯底的雙面、邊緣和切口拋光。
3.根據權利要求1所述的晶片背面密封的方法，其特征在于：所述多晶硅層采用低壓化學氣相沉積法得到。
4.根據權利要求1所述的晶片背面密封的方法，其特征在于：采用包括氧化鈰的化學機械研磨漿料進行邊緣氧化物拋光以實現邊緣斜角清除。
5.根據權利要求4所述的晶片背面密封的方法，其特征在于：邊緣斜角清除的厚度小于等于3mm。
6.一種外延晶片的方法，其特征在于：在進行外延生長之前，采用權利要求1-5中任一項所述的晶片背面密封的方法對晶片襯底進行背面密封，然后在所述晶片襯底的正面生長外延層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
