[發明專利]一種指紋識別裝置及其制作方法、觸控顯示裝置

在審

• 申請號: 201710537830.1
• 申請日: 2017-07-04
• 公開（公告）號: CN107330411A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發明（設計）人: 姚琪
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G06K9/00
• 分類號: G06K9/00;G06F3/041
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種指紋識別裝置，其特征在于，包括襯底基板，設置在所述襯底基板之上的且呈陣列排布的光敏感應單元，設置在所述光敏感應單元之上的疏水結構。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，

所述疏水結構包括依次設置在所述光敏感應單元之上的碳納米管膜層和氟硅烷膜層。

3.根據權利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述光敏感應單元具體包括：用于感測指紋中脊或谷處反射的光信號轉換為電信號的光電二極管，以及用于將所述光電二極管的電信號輸出的開關晶體管；

所述指紋識別裝置還包括：用于給所述光電二極管提供電壓信號的電壓信號線，以及用于給所述開關晶體管提供掃描信號的掃描線。

4.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述疏水結構在所述襯底基板上的投影與所述光電二極管在所述襯底基板上的投影重疊。

5.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述疏水結構在所述襯底基板上的投影與所述光電二極管和所述開關晶體管在所述襯底基板上的投影重疊。

6.一種觸控顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-5任一權項所述的指紋識別裝置。

7.一種權利要求1-5任一權項所述的指紋識別裝置的制作方法，其特征在于，該方法包括：

采用構圖工藝在襯底基板上形成光敏感應單元的圖案；

采用構圖工藝在所述光敏感應單元之上形成疏水結構的圖案。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述采用構圖工藝在襯底基板上形成光敏感應單元的圖案，包括：

在所述襯底基板上形成開關晶體管的圖案，所述開關晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極；在所述襯底基板上形成光電二極管的圖案，所述光電二極管包括第一電極、光敏導電層和第二電極；其中，所述第一電極與所述源極或漏極電性連接；或者，

在所述襯底基板上形成光電二極管的圖案，所述光電二極管包括第一電極、光敏導電層和第二電極；在所述襯底基板上形成開關晶體管的圖案，所述開關晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極；其中，所述第一電極與所述源極或漏極電性連接。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，采用構圖工藝在所述光敏感應單元之上形成疏水結構的圖案，包括：

在所述光敏感應單元之上依次形成碳納米管膜層和氟硅烷膜層；

在所述氟硅烷膜層之上形成光刻膠層；

采用形成所述光電二極管的圖案的掩膜版對所述光刻膠層進行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區域和光刻膠完全去除區域；其中，所述光刻膠完全保留區域與所述光電二極管相對應；

刻蝕掉所述光刻膠完全去除區域所對應的碳納米管膜層和氟硅烷膜層，形成疏水結構的圖案。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，采用構圖工藝在所述光敏感應單元之上形成疏水結構的圖案，包括：

在所述光敏感應單元之上依次形成碳納米管膜層和氟硅烷膜層；

在所述氟硅烷膜層之上形成光刻膠層；

采用形成所述光電二極管和開關晶體管的圖案的掩膜版對所述光刻膠層進行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區域和光刻膠完全去除區域；其中，所述光刻膠完全保留區域與所述光電二極管和所述開關晶體管相對應；

刻蝕掉所述光刻膠完全去除區域所對應的碳納米管膜層和氟硅烷膜層，形成疏水結構的圖案。

11.根據權利要求9或10的方法，其特征在于，刻蝕掉所述光刻膠完全去除區域所對應的碳納米管膜層和氟硅烷膜層，包括：

采用干法刻蝕的方式，刻蝕掉所述光刻膠完全去除區域所對應的碳納米管膜層和氟硅烷膜層。