[發明專利]一種基于橋接生長的納米線器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201710532974.8
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN107331705B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 黃輝;渠波;趙丹娜;呂瑞
• 申請（專利權）人: 黃輝;渠波;趙丹娜
• 主分類號: H01L29/775
• 分類號: H01L29/775;H01L21/335;B82Y10/00
• 代理公司: 北京金之橋知識產權代理有限公司 11137
• 代理人: 劉卓夫;李紅

1.一種基于橋接生長的納米線器件的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1、在襯底的表面沉積導電層；

S2、通過化學刻蝕、激光燒蝕或機械切削的方法在具有導電層的絕緣襯底上制備穿透導電層的凹槽結構，以在凹槽結構的兩側形成相互絕緣的源電極和漏電極；

所述制備方法還包括以下步驟：

S3、在凹槽結構的底部設置犧牲層或犧牲條；

S4、在所述源電極和/或所述漏電極上附著催化劑顆粒，所述催化劑顆粒用于引導所述納米線的生長；

S5、在所述源電極和/或所述漏電極側壁上生長納米線，所述納米線與所述源電極和所述漏電極連接；

S6、去除設置在凹槽結構底部的犧牲層或犧牲條、以及沉積在犧牲層頂部或附著在犧牲條頂部的納米線生長時形成的沉積物，使得凹槽兩側的納米線生長時形成的沉積物隔絕開，以使所述凹槽結構兩側的電互聯僅取決于橋接納米線。

2.根據權利要求1所述的一種基于橋接生長的納米線器件的制備方法，其特征在于：在S3中，若在凹槽結構的底部設置的是犧牲層，則需要在進行S4之前，將沉積在凹槽結構底部之外的犧牲層通過光刻或腐蝕的方式去除。

3.根據權利要求1所述的一種基于橋接生長的納米線器件的制備方法，其特征在于：在S3中，若在凹槽結構的底部設置的是犧牲層，則在S6中，通過選擇性化學腐蝕的方式去除凹槽結構底部的犧牲層，通過超聲震動的方式去除凹槽結構頂部懸浮的沉積物；在S3中，若在凹槽結構的底部設置的是犧牲條，則在S6中，通過化學腐蝕或通過施加外力的方式直接抽取凹槽結構底部的犧牲條和附著在犧牲條頂部的沉積物。

4.根據權利要求1-3任一項所述的一種基于橋接生長的納米線器件的制備方法，其特征在于：所述犧牲層選擇能夠被腐蝕且耐高溫的材質。

5.根據權利要求4所述的一種基于橋接生長的納米線器件的制備方法，其特征在于：所述犧牲層為氧化硅層。

6.根據權利要求1-3任一項所述的一種基于橋接生長的納米線器件的制備方法，其特征在于：所述犧牲條為耐高溫的材料。

7.根據權利要求6所述的一種基于橋接生長的納米線器件的制備方法，其特征在于：所述犧牲條為石英纖維。

8.根據權利要求1-3任一項所述的一種基于橋接生長的納米線器件的制備方法，其特征在于：所述催化劑顆粒是金、鎳、鐵、金鎳合金、鎵、銦、或者氮化鎵中的一種或幾種。