[發明專利]電子漿料及其制備方法、厚膜電路芯片熱源及其制備方法

在審

• 申請號: 201710532724.4
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN107396466A
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 王克政;王晨
• 申請（專利權）人: 王克政;王晨
• 主分類號: H05B3/10
• 分類號: H05B3/10;H05B3/22
• 代理公司: 北京易捷勝知識產權代理事務所(普通合伙)11613
• 代理人: 齊勝杰

技術領域

本發明涉及一種制備大功率厚膜集成電路用電子漿料，尤其是一種制備厚膜電路芯片熱源用電子漿料。

背景技術

在智能電熱源領域，厚膜電路用電子漿料通常劃分為低溫電子漿料：65-250℃、中溫電子漿料：250-600℃和高溫電子漿料：600-1200℃。高溫熱源600-1200℃厚膜電路，是智能熱源技術的高端水平。低溫熱源應用范圍較廣，中溫熱源應用的頻率不高，高溫熱源由于技術復雜、難度大，多為特種應用。

盡管最近十多年來，我國通用電子漿料發展迅速，但主要以導體漿料(如銀漿、鋁漿)為主，其中銀漿中的正銀多由國外進口。也即目前我國尚不能較好地滿足通用電子漿料的應用需求，專用電子漿料的應用需求更是難以滿足。

上述缺陷是本領域技術人員期望克服的。

發明內容

(一)要解決的技術問題

為了解決現有技術的上述問題，本發明提供一種制備厚膜電路用電子漿料，其將微量的石墨烯或石墨烯類顆粒分散到厚膜電路層及厚膜介質層中，在厚膜電路層及厚膜介質層中形成的碳微納米材料微細網格數量級地提高了厚膜電路的電性能、熱性能、化學性能及在厚度方向上熱界面的導熱率，大幅提高了大功率厚膜集成電路的散熱性能和機械強度。

(二)技術方案

第一方面，為了達到上述目的，本發明采用的主要技術方案包括：

一種制備厚膜電路用電子漿料，包括固相組分及有機溶劑載體；其中，固相組分和有機溶劑載體的重量比為65～90：35～10，所述固相組分包含石墨烯或氧化石墨烯以及至少一種稀土氧化物。

具體地，所述電子漿料中，所述固相組分包括功能相粉體和微晶玻璃粉體，所述功能相粉體中包含所述石墨烯或所述氧化石墨烯，所述石墨烯為石墨烯粉體，所述氧化石墨烯為氧化石墨烯粉體；所述微晶玻璃粉體中包含所述至少一種稀土氧化物中的一種。

具體地，所述電子漿料中，所述微晶玻璃粉體中的稀土氧化物為La₂O₃。

具體地，所述電子漿料中，所述功能相粉體中包含所述石墨烯粉體和所述至少一種稀土氧化物中的一種或多種。

優選地，所述電子漿料中，所述功能相粉體中的稀土氧化物為RuO₂和Y₂O₃。

具體地，所述電子漿料中，所述功能相粉體的粒徑小于3μm。

具體地，所述電子漿料中，所述有機溶劑載體由主溶劑、增稠劑、表面活性劑、觸變劑、膠凝劑、稀釋劑中的一種或多種混合制備而成，其粘度為150-280mPas。

優選地，所述電子漿料中，所述電子漿料的粘度為168～289mPas。

作為本發明的一個實施例，所述電子漿料中，

所述固相組分和所述有機溶劑載體的重量比為65～85：35～15；

所述功能相粉體和所述微晶玻璃粉體的重量比為75～55：25～45；

所述功能相粉體中包括銀粉體、鈀粉體和石墨烯粉體，其重量比為：75～79：15～40.5：10～0.5；

所述微晶玻璃粉體中包含以下氧化物組分：SiO₂、Al₂O₃、CaO、Bi₂O₃、B₂O₃和La₂O₃，其重量比為：20～60：5～35：10～35：10～30：1～10：0.3～8。

作為本發明的另一實施例，所述電子漿料中，

所述固相組分和所述有機溶劑載體的重量比為65～85：35～15；

所述功能相粉體和所述微晶玻璃粉體的重量比為75～55：25～45；

所述功能相粉體中包括RuO₂粉體、Y₂O₃粉體、CuO粉體和石墨烯粉體，其重量比為75～59：15～40.5：10～0.5：1～10；

所述微晶玻璃粉體中包含以下氧化物組分：SiO₂、Al₂O₃、CaO、Bi₂O₃、B₂O₃和La₂O₃，其重量比為：20～60：5～35：10～35：10～30：1～10：0.3～8。

作為本發明的又一實施例，所述電子漿料中，