[發(fā)明專利]一種射頻組件集成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710529729.1
• 申請(qǐng)日: 2017-07-02
• 公開（公告）號(hào): CN107275226A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋志東;宋云乾;李曦
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)航空工業(yè)集團(tuán)公司雷華電子技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): H01L21/50
• 分類號(hào): H01L21/50
• 代理公司: 北京航信高科知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11526
• 代理人: 高原

1.一種射頻組件集成方法，其特征在于，包括如下步驟，

步驟一：根據(jù)電路設(shè)計(jì)加工各層硅基板，完成各層基板的硅腔與TSV加工；

步驟二：完成各層硅基板的金屬化，根據(jù)電路設(shè)計(jì)完成各層基板上的金屬圖案繪制，并完成阻容元件、濾波電路等無源器件的內(nèi)嵌加工；

步驟三：通過晶圓鍵合工藝組合相應(yīng)的硅基基板，形成埋置元器件所需要的腔體；

步驟四：進(jìn)行芯片微組裝，將射頻電路中的元器件安裝在相應(yīng)的腔體內(nèi)；

步驟五：通過晶圓鍵合工藝完成所有硅基基板層的互聯(lián)；

步驟六：進(jìn)入封裝間進(jìn)行進(jìn)一步的三維堆疊，根據(jù)需要選擇在上下表面安裝其他元器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻組件集成方法，其特征在于，所述步驟一中的各層所述硅基板的厚度為150μm～500μm之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻組件集成方法，其特征在于，所述步驟一中的所述硅腔尺寸為：1×1～6×6mm²、腔體深度20～200μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻組件集成方法，其特征在于，所述步驟一中的所述TSV通孔開孔尺寸為3μm～100μm之間、深寬比≤10:1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻組件集成方法，其特征在于，所述步驟二中的所述金屬圖案繪制的精度≤1μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻組件集成方法，其特征在于，所述步驟二中的所述金屬材料為金、銀、鋁或者銅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻組件集成方法，其特征在于，所述步驟三中的所述晶圓鍵合工藝為金屬鍵合與絕緣體鍵合。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的射頻組件集成方法，其特征在于，所述金屬鍵合為Al-Ge鍵合工藝、Au-Sn鍵合工藝、Cu-Sn鍵合工藝、Au-Au鍵合工藝或者Cu-Cu鍵合工藝。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的射頻組件集成方法，其特征在于，所述絕緣體鍵合為Si-Si鍵合工藝、Si-SiO₂鍵合工藝或者SiO₂-SiO₂鍵合工藝。