[發(fā)明專利]用于處理基板的裝置和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710525594.1 | 申請日: | 2017-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN107564837B | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金榮河;崔勢定;李康奭;郭基榮;樸廷恩;樸貞英 | 申請(專利權(quán))人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務所 11410 | 代理人: | 石寶忠 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 裝置 方法 | ||
公開了用于以液體處理基板的裝置和方法。該用于以液體處理基板的方法包括:第一處理液體供給操作,其將第一處理液體供給至所述基板的處理位置;以及潤濕操作,其在所述第一處理液體供給操作后將潤濕液體供給至所述基板上,其中,所述潤濕操作包括:同時供給操作,其在供給第一處理液體的同時將潤濕液體供給至第一位置,其中所述第一位置是偏離所述處理位置的位置。因此,可以在將處理液體轉(zhuǎn)換為潤濕液體的同時防止基板的表面變干。
技術(shù)領域
本文所描述的發(fā)明構(gòu)思的實施方式涉及用于處理基板的裝置和方法,更具體地涉及用于以液體處理基板的裝置和方法。
背景技術(shù)
為了制造半導體器件或液晶顯示器,對基板進行各種處理,諸如光刻、灰化、蝕刻、離子注入、薄膜沉積和清潔。其中,清潔工藝是除去存在于基板上的顆粒的工藝且在上述工藝之前和之后進行。
根據(jù)基板的表面特性,可采用不同的清潔工藝。尤其是,當基板的表面是疏水性的或?qū)κ杷员砻孢M行清潔時,執(zhí)行化學處理操作和潤濕操作。在基板旋轉(zhuǎn)期間將化學品供給至基板,然后供給潤濕液體。
然而,將化學處理操作轉(zhuǎn)換為潤濕操作的過程需要幾秒鐘。在轉(zhuǎn)換操作的過程中會停止將液體供給至基板。因此,基板的周邊區(qū)域不能保持潤濕狀態(tài)而是干燥的。這導致顆粒附著到基板的周邊區(qū)域或?qū)е虑鍧嵢毕?,例如水印?/p>
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思的實施方式提供用于改善疏水性基板表面的清潔效率的裝置和方法。
本發(fā)明構(gòu)思提供用于以液體處理基板的裝置和方法。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面,提供一種用于以液體處理基板的裝置,所述裝置包括:處理容器,在所述處理容器內(nèi)部具有處理空間;基板支撐單元,所述基板支撐單元在所述處理空間中支撐所述基板;固定噴嘴單元,所述固定噴嘴單元被固定地安裝在所述處理容器中;以及可移動噴嘴單元,所述可移動噴嘴單元能夠移動至朝向所述處理空間的位置且包括第一可移動噴嘴,所述第一可移動噴嘴被配置成將第一處理液體供給至由所述基板支撐單元所支撐的所述基板上,其中,所述固定噴嘴單元包括:第一固定噴嘴,所述第一固定噴嘴被配置成將潤濕液體供給至由所述基板支撐單元所支撐的所述基板的第一位置;以及第二固定噴嘴,所述第二固定噴嘴被配置成將潤濕液體供給至由所述基板支撐單元所支撐的所述基板的第二位置,并且其中,所述第一位置是比所述第二位置更遠離所述基板的中心的位置。
所述第一可移動噴嘴可以將所述第一處理液體供給至由所述基板支撐單元所支撐的所述基板的處理位置,且所述第一位置可以是不同于所述處理位置的位置。所述處理位置和所述第二位置可以對應于由所述基板支撐單元所支撐的所述基板的中心區(qū)域,且所述第一位置可以對應于由所述基板支撐單元所支撐的所述基板的周邊區(qū)域。所述第一處理液體可以是用于對所述基板的表面進行疏水化處理的液體,且所述潤濕液體可以是純水。所述裝置還可以包括:控制器,所述控制器被配置成控制所述固定噴嘴單元和所述可移動噴嘴單元,并且所述控制器控制所述固定噴嘴單元和所述可移動噴嘴單元使得依次執(zhí)行第一處理液體供給操作和同時供給操作,在所述第一處理液體供給操作中將第一處理液體供給至所述基板上,且在所述同時供給操作中在供給第一處理液體的同時將潤濕液體供給至所述第一位置。
所述控制器可以控制所述固定噴嘴單元和所述可移動噴嘴單元使得,在所述同時供給操作后,執(zhí)行第一潤濕操作,在所述第一潤濕操作中停止供給第一處理液體且持續(xù)將潤濕液體供給至所述第一位置。所述控制器可以控制所述固定噴嘴單元和所述可移動噴嘴單元使得,在所述第一潤濕操作后,執(zhí)行第二潤濕操作,在所述第二潤濕操作中將潤濕液體供給至所述第一位置和所述第二位置。所述可移動噴嘴單元還可以包括:第二可移動噴嘴,所述第二可移動噴嘴能夠移動至朝向所述處理空間的位置且被配置成將第二處理液體供給至由所述基板支撐單元所支撐的所述基板上,并且其中,所述控制器控制所述可移動噴嘴單元使得,在所述第二潤濕操作后,執(zhí)行第二處理液體供給操作,在所述第二處理液體供給操作中將第二處理液體供給至所述基板上。
所述第二處理液體可以是用于對所述基板的表面進行親水化處理的液體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





