[發明專利]用于處理基板的裝置和方法有效
| 申請號: | 201710525594.1 | 申請日: | 2017-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN107564837B | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | 金榮河;崔勢定;李康奭;郭基榮;樸廷恩;樸貞英 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務所 11410 | 代理人: | 石寶忠 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 裝置 方法 | ||
1.一種用于以液體處理基板的裝置,所述裝置包括:
處理容器,所述處理容器在其內部具有處理空間;
基板支撐單元,所述基板支撐單元在所述處理空間中支撐所述基板;
固定噴嘴單元,所述固定噴嘴單元被固定地安裝在所述處理容器中;
可移動噴嘴單元,所述可移動噴嘴單元能夠移動至朝向所述處理空間的位置且包括第一可移動噴嘴,所述第一可移動噴嘴被配置成將第一處理液體供給至由所述基板支撐單元所支撐的所述基板上,
控制器,所述控制器被配置為控制所述固定噴嘴單元和所述可移動噴嘴單元,
其中,所述固定噴嘴單元包括:
第一固定噴嘴,所述第一固定噴嘴被配置成將潤濕液體供給至由所述基板支撐單元所支撐的所述基板的第一位置;以及
第二固定噴嘴,所述第二固定噴嘴被配置成將潤濕液體供給至由所述基板支撐單元所支撐的所述基板的第二位置,以及
其中,所述第一位置是比所述第二位置更遠離所述基板的中心的位置,
其中,所述潤濕液體與所述第一處理液體具有不同的化學性質,
其中,所述控制器控制所述固定噴嘴單元和所述可移動噴嘴單元使得依次執行第一處理液體供給操作和同時供給操作,其中所述第一處理液體供給操作將所述第一處理液體供給至所述基板上,且在供給所述第一處理液體的同時所述同時供給操作將潤濕液體供給至所述第一位置。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述第一可移動噴嘴將所述第一處理液體供給至由所述基板支撐單元所支撐的所述基板的處理位置,以及
其中,所述第一位置是不同于所述處理位置的位置。
3.根據權利要求2所述的裝置,其中,所述處理位置和所述第二位置對應于由所述基板支撐單元所支撐的所述基板的中心區域,并且
其中,所述第一位置對應于由所述基板支撐單元所支撐的所述基板的周邊區域。
4.根據權利要求3所述的裝置,其中,所述第一處理液體是用于對所述基板的表面進行疏水化處理的液體,并且
其中,所述潤濕液體是純水。
5.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述控制器控制所述固定噴嘴單元和所述可移動噴嘴單元,使得在所述同時供給操作后執行第一潤濕操作,其中所述第一潤濕操作停止供給所述第一處理液體且持續將所述潤濕液體供給至所述第一位置。
6.根據權利要求5所述的裝置,其中,所述控制器控制所述固定噴嘴單元和所述可移動噴嘴單元,使得在所述第一潤濕操作后執行第二潤濕操作,其中所述第二潤濕操作將所述潤濕液體供給至所述第一位置和所述第二位置。
7.根據權利要求6所述的裝置,其中,所述可移動噴嘴單元還包括:
第二可移動噴嘴,所述第二可移動噴嘴能夠移動至朝向所述處理空間的位置且被配置成將第二處理液體供給至由所述基板支撐單元所支撐的所述基板上,以及
其中,所述控制器控制所述可移動噴嘴單元,使得在所述第二潤濕操作后執行第二處理液體供給操作,其中所述第二處理液體供給操作將所述第二液體供給至所述基板上。
8.根據權利要求7所述的裝置,其中,所述第二處理液體是用于對所述基板的表面進行親水化處理的液體。
9.一種用于通過使用根據權利要求1所述的以液體處理基板的裝置而以液體處理基板的方法,包括:
第一處理液體供給操作,其將第一處理液體供給至所述基板的處理位置;以及
潤濕操作,其在所述第一處理液體供給操作后將潤濕液體供給至所述基板上,
其中,所述潤濕操作包括:
同時供給操作,在供給所述第一處理液體的同時,所述同時供給操作將所述潤濕液體供給至第一位置,并且
其中,所述第一位置是偏離所述處理位置的位置,
其中,所述潤濕液體與所述第一處理液體具有不同的化學性質。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于細美事有限公司,未經細美事有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710525594.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





