[發(fā)明專利]一種制備超平整無褶皺石墨烯單晶的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710523050.1 | 申請日: | 2017-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN107190315B | 公開(公告)日: | 2019-05-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭海琳;鄧兵;劉忠范 | 申請(專利權(quán))人: | 北京大學(xué) |
| 主分類號: | C30B29/02 | 分類號: | C30B29/02;C30B29/64;C30B25/18 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 關(guān)暢 |
| 地址: | 100871 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 制備 平整 褶皺 石墨 烯單晶 方法 | ||
1.一種制備石墨烯單晶薄膜的方法,包括如下步驟:
將銅(111)單晶薄膜/藍(lán)寶石對疊,使藍(lán)寶石面在外,銅(111)單晶薄膜面在內(nèi),先退火再進(jìn)行常壓化學(xué)氣相沉積,沉積完畢即在所述銅(111)單晶薄膜表面得到所述石墨烯單晶薄膜;
所述退火步驟中,退火時(shí)間為0.5-2h;
退火溫度為1000-1050℃;
所述常壓化學(xué)氣相沉積步驟中,生長溫度為1000-1050℃;
沉積時(shí)間為0.5-5h。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:所述退火步驟中,載氣為氬氣和氫氣;所述氫氣和氬氣的流量比為10:(400-1000);
由室溫升至退火溫度的時(shí)間為0.5-2h;
所述退火在常壓化學(xué)氣相沉積爐中進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于:所述氫氣的流量為10sccm;
所述氬氣的流量為500sccm;
由室溫升至退火溫度的時(shí)間為1h。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的方法,其特征在于:
所述常壓化學(xué)氣相沉積步驟中,沉積氣氛為氬氣、氫氣和稀釋的碳源氣體組成的混合氣氛。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于:所述沉積時(shí)間為3h;
所述由氬氣、氫氣和稀釋的碳源氣體組成的混合氣氛中,氫氣、氬氣和稀釋的碳源氣體的流量比為(5-20):(400-1000):10。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于:所述碳源氣體選自甲烷、乙烯、乙炔和乙醇中的至少一種;
所述稀釋的碳源氣體由碳源氣體和氬氣組成;碳源氣體在所述稀釋的碳源氣體中的體積百分含量為0.1%;
所述常壓化學(xué)氣相沉積在常壓化學(xué)氣相沉積爐中進(jìn)行。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:所述氫氣的流量為10sccm;氬氣的流量為500sccm;所述稀釋的碳源氣體的流量為10 sccm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的方法,其特征在于:所述銅(111)單晶薄膜按照包括如下步驟的方法制得:以藍(lán)寶石單晶作為生長基底,磁控濺射銅靶,退火,得到所述銅單晶薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于:所述磁控濺射步驟中,生長基底的濺射面為所述藍(lán)寶石單晶的Al2O3(0001)面;
銅靶的純度為99.999%;
濺射壓強(qiáng)為4*10-4-10Pa;
功率為300-600W。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于:所述功率為500W。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于:所述退火步驟中,退火氣氛為還原性氣氛;
所述由氫氣和氬氣組成的混合氣氛中,氫氣和氬氣的流量比為10-50:500。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于:所述退火氣氛為由氫氣和氬氣組成的混合氣氛;
所述氫氣的流量為10sccm;氬氣的流量為500sccm。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于:所述退火步驟包括:先升溫至進(jìn)行一次保溫后再升溫至進(jìn)行二次保溫,再自然降溫到室溫;
所述一次保溫步驟中,一次保溫的溫度為400℃-600℃;由室溫升至一次保溫的溫度的時(shí)間為20-60分鐘;一次保溫的時(shí)間為30-60分鐘;
所述二次保溫步驟中,二次保溫的溫度為950℃-1050℃;由一次保溫的溫度升至二次保溫的溫度的時(shí)間為20-60分鐘;二次保溫的時(shí)間為30-60分鐘;
所述退火在常壓化學(xué)氣相沉積管式爐中進(jìn)行。
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