[發明專利]一種低輻射透明電加熱薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201710522481.6
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN107326415B
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 馬劍鋼;徐海陽;薛小丹;李鵬;李化鵬
• 申請（專利權）人: 東北師范大學
• 主分類號: C25D7/00
• 分類號: C25D7/00;H05B3/84
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢;王春霞

1.一種低輻射透明電加熱薄膜的制備方法，包括如下步驟：

(1)在導電襯底上制備龜裂模板；

將龜裂液采用刮涂法在所述導電襯底的表面進行涂布形成龜裂薄膜，然后于空氣中干燥自發龜裂形成所述龜裂模板；

所述刮涂法的步驟如下：

將所述導電襯底固定于刮涂機的工作面板上，將線棒固定于所述導電襯底的表面；在所述線棒的前端滴加所述龜裂液，控制所述線棒前行，進而將所述龜裂液涂布于所述導電襯底的表面；

所述導電襯底由襯底和沉積于其表面上的低輻射透明導電薄膜組成；

所述低輻射透明導電薄膜為依次沉積的金屬氧化物薄膜或金屬氧化物薄與超薄金屬膜的復合膜；

所述金屬氧化物膜的材質為寬帶隙半導體；

所述超薄金屬膜的材質為Ag、Al或Pt；

所述超薄金屬膜的厚度小于30nm；

(2)采用電鍍法在所述龜裂模板的裂隙中沉積金屬；

所述電鍍法的條件如下：

電解液為鍍金液、鍍銀液或鍍銅液；

陽極為鈦銥電極；

陰極為表面覆蓋所述龜裂模版的導電襯底；

電源為直流恒流源；

在所述直流恒流源輸出的電流為0.01～0.1A的條件下電鍍1～15min；

(3)去除所述龜裂模板，得到所述導電襯底與金屬網格的復合結構，即為所述低輻射透明電加熱薄膜。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟(3)之后，所述方法還包括向所述復合結構表面沉積所述金屬氧化物薄膜的步驟。

3.權利要求1或2所述方法制備的低輻射透明電加熱薄膜。

4.權利要求3所述低輻射透明電加熱薄膜在制備或作為低輻射薄膜或電加熱薄膜中的應用。