[發明專利]陣列基板和包括該陣列基板的顯示面板有效
| 申請號: | 201710519910.4 | 申請日: | 2017-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN107564936B | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發明(設計)人: | 林炫秀;李康柱;金秀剛;具沅會;張志向;崔民根 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜誠;李德山 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 包括 顯示 面板 | ||
1.一種用于顯示裝置的陣列基板,包括:
基板,所述基板包括多個子像素,所述多個子像素中的至少一個子像素是白色子像素;
絕緣層,所述絕緣層設置在所述基板上,并且設置在所述多個子像素中的每個子像素中;以及
多個濾色器層,所述多個濾色器層設置在所述絕緣層上,所述多個濾色器層中的每個濾色器層分別設置在所述多個子像素中的相應子像素中,
其中,所述多個濾色器層中的至少兩個濾色器層具有相同的顏色并且分別設置在所述白色子像素以及與所述白色子像素鄰近的子像素中的至少一個子像素中,并且所述絕緣層在所述白色子像素和與所述白色子像素鄰近的子像素中的所述至少一個子像素之間的邊界處具有斜坡,
其中,所述白色子像素中的濾色器層具有單層,其厚度小于與所述白色子像素鄰近的子像素中的所述至少一個子像素中的濾色器層的厚度,以及
其中,在與所述白色子像素鄰近的子像素中的所述至少一個子像素中的濾色器層下面的絕緣層的厚度小于在所述白色子像素中的濾色器層下面的絕緣層的厚度。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,所述白色子像素中的濾色器層的底表面與所述基板的頂表面之間的距離大于與所述白色子像素鄰近的子像素中的所述至少一個子像素中的濾色器層的底表面和所述基板的頂表面之間的距離。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,設置在與所述白色子像素鄰近的子像素中的所述至少一個子像素中的濾色器層的厚度為0.5μm至3μm。
4.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,設置在與所述白色子像素鄰近的子像素中的所述至少一個子像素中的濾色器層在靠近所述邊界的至少一個部分中具有階梯部。
5.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,所述絕緣層包括緩沖區、柵極電介質和層間電介質中至少之一。
6.根據權利要求5所述的陣列基板,其中,所述絕緣層在所述白色子像素中包括所述緩沖區、所述柵極電介質和所述層間電介質。
7.根據權利要求5所述的陣列基板,其中,所述絕緣層在與所述白色子像素鄰近的子像素中的所述至少一個子像素中僅包括所述緩沖區、所述柵極電介質和所述層間電介質中的一個或兩個。
8.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,所述多個濾色器層中的所述至少兩個濾色器層由流體有機材料制成。
9.一種顯示面板,包括:
基板,所述基板包括多個子像素,所述多個子像素至少包括彼此鄰近并且被配置成提供彼此不同顏色的光的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素;
絕緣層,所述絕緣層設置在所述基板上,并且設置在所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素中的每個子像素中;以及
第一濾色器層、第二濾色器層、第三濾色器層和第四濾色器層,所述第一濾色器層、所述第二濾色器層、所述第三濾色器層和所述第四濾色器層設置在所述絕緣層上,并且分別設置在所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素中,所述第二濾色器層和所述第三濾色器層具有相同的顏色;
其中,所述絕緣層在所述第二子像素與所述第三子像素之間的邊界處具有斜坡,
其中,所述第二濾色器層具有單層,其厚度小于所述第三濾色器層的厚度,
其中,在所述第三濾色器層下面的絕緣層的厚度小于在所述第二濾色器層下面的絕緣層的厚度,以及
其中,所述第二子像素是白色子像素。
10.根據權利要求9所述的顯示面板,其中,所述絕緣層在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第四子像素中包括緩沖區、柵極電介質和層間電介質,而在所述第三子像素中僅包括所述緩沖區、所述柵極電介質和所述層間電介質中的一個或兩個。
11.根據權利要求9所述的顯示面板,其中,所述第三濾色器層在靠近所述邊界的至少一個部分中具有階梯部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





