[發明專利]適用于陶瓷產品的清洗工藝

有效

• 申請號: 201710519444.X
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN107282525B
• 公開（公告）日: 2019-09-13
• 發明（設計）人: 皮超;強軍
• 申請（專利權）人: 蕪湖通潮精密機械股份有限公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B3/04;B08B3/02;B08B3/10
• 代理公司: 南京匯恒知識產權代理事務所(普通合伙) 32282
• 代理人: 夏恒霞

本發明公開了一種適用于陶瓷產品的清洗工藝，首先對陶瓷產品進行浸泡處理，便于后續利用化學品對產品表面的污染物進行快速、有效的清洗；然后，再利用KOH與H₂O₂在一定溫度下發生高溫反應，從而去除陶瓷產品表面的頑固污染物；該清洗工藝清洗效果好，化學品用量少，降低了清洗成本且提高清洗效率。

技術領域

本發明涉及一種清洗工藝，具體涉及一種適用于陶瓷產品的清洗工藝。

背景技術

TFT(Thin Film Transistor)LCD即薄膜場效應晶體管LCD，是有源矩陣類型液晶顯示器(AM-LCD)中的一種，是目前唯一在亮度、對比度、功耗、壽命、體積和重量等綜合性能上全面趕上和超過CRT的顯示器件，它的性能優良、大規模生產特性好，自動化程度高，原材料成本低廉，發展空間廣闊，將迅速成為新世紀的主流產品，是21世紀全球經濟增長的一個亮點。

現已實現產業化的TFT類型包括：非晶硅TFT(a-Si TFT)、多晶硅TFT(p-Si TFT)、單晶硅TFT(c-Si TFT)幾種。目前使用最多的是a-Si TFT。a-Si TFT的制造工藝是先在硼硅玻璃基板上濺射柵極材料膜，經掩膜、曝光、顯影、干法蝕刻后形成柵極布線圖案。第二步是用PECVD法進行連續成膜，形成SiNx膜、非摻雜a-Si膜，摻磷n+a-Si膜，然后再進行掩膜曝光及干法蝕刻形成TFT部分的a-Si圖案。第三步是用濺射成膜法形成透明電極(ITO膜)，再經掩膜曝光及濕法蝕刻形成顯示電極圖案。第四步柵極端部絕緣膜的接觸孔圖案形成則是使用掩膜曝光及干法蝕刻法。第五步是將AL等進行濺射成膜，用掩膜、曝光、蝕刻形成TFT的源極、漏極以及信號線圖案。最后用PECVD法形成保護絕緣膜，再用掩膜曝光及干法蝕刻進行絕緣膜的蝕刻成形。至此，整個工藝流程完成。

可見，在TFT的生產的濺射等工藝過程中，設備腔體內部的各零部件表面不可避免地會沉積污染物，污染物不及時清理的話則會影響產品質量，因此，需要定期將腔體內的零部件清洗干凈，使得零部件可以長期反復使用，延長使用壽命。腔體內有很多零部件都是陶瓷制成的，現有技術中的清洗工藝存在清洗效果差、耗費大量人力物力、清洗液用量多成本高且難以去除局部頑固污染物的弊端，亟待改進。

發明內容

為解決現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種適用于陶瓷產品的清洗工藝，以減少化學品用量并提高清洗效率，更加能夠有效去除局部頑固污染物。

為了實現上述目標，本發明采用如下的技術方案：

適用于陶瓷產品的清洗工藝，包括如下步驟：

S1、將待清洗的陶瓷產品置于清洗槽內，向清洗槽內注入純水直至淹沒陶瓷產品，浸泡4-12h后，放空清洗槽中的水，用水槍沖洗陶瓷產品表面的污染物，隨后將掉落至清洗槽內的污染物沖洗干凈；

S2、向清洗槽內注入熱水使水位剛好淹沒陶瓷產品，然后向清洗槽內注入清洗液，所述清洗液由H₂O₂、KOH及H₂O混合組成，浸泡清洗完成后將清洗液放掉并且用純水沖洗陶瓷產品；

S3、清洗局部頑固污染物：再次向清洗槽內注入熱水使水位剛好淹沒陶瓷產品，在產品表面的頑固污染物上鋪一層KOH固體，然后盛放H₂O₂倒在KOH表面，兩者高溫反應去除頑固污染物；

S4、用純水將陶瓷產品表面沖洗干凈，然后晾干或烘干即可。

優選地，前述步驟S2和S3中，熱水溫度為70℃。

更優選地，前述步驟S2中，H₂O₂、KOH及H₂O三者的質量濃度比為1:1:3。

再優選地，前述步驟S3中，H₂O₂與KOH的質量濃度比為1:2。