[發明專利]一種精確的POR電路

有效

• 申請號: 201710515232.4
• 申請日: 2017-06-29
• 公開（公告）號: CN107066018B
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 許超群;易俊
• 申請（專利權）人: 英麥科（廈門）微電子科技有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 廈門市精誠新創知識產權代理有限公司 35218
• 代理人: 何家富

1.一種精確的POR電路，其特征在于：包括閾值產生電路和反相器INV1，所述閾值產生電路包括NPN三極管M0-M2、電阻R0-R1和第一電流鏡，所述NPN三極管M0和M2的發射極面積相等，所述NPN三極管M0的發射極面積與NPN三極管M1的發射極面積的比值大于1，所述電阻R0的第一端作為閾值產生電路的輸入端接輸入電源，所述電阻R0的第二端分別接NPN三極管M0的集電極和基極，所述NPN三極管M0的發射極接地，所述NPN三極管M1的基極與NPN三極管M0的基極連接，所述NPN三極管M1的集電極接第一電流鏡的輸入端，所述NPN三極管M1的發射極串聯電阻R1接地，所述NPN三極管M2的基極與NPN三極管M0的基極連接，所述NPN三極管M2的集電極接第一電流鏡的輸出端，所述NPN三極管M2的發射極接地，所述NPN三極管M2的集電極作為閾值產生電路的輸出端接反相器INV1的輸入端。

2.根據權利要求1所述的精確的POR電路，其特征在于：所述第一電流鏡包括PMOS管M3和M4，所述PMOS管M3和M4的源極同時接輸入電源，所述PMOS管M3和M4的柵極相連，所述PMOS管M3的柵極和漏極接NPN三極管M1的集電極，所述PMOS管M4的漏極接NPN三極管M2的集電極。

3.根據權利要求1所述的精確的POR電路，其特征在于：所述第一電流鏡包括PNP三極管M6和M7，所述PNP三極管M6和M7的發射極同時接輸入電源，所述PNP三極管M6和M7的基極相連，所述PNP三極管M7的基極和集電極接NPN三極管M1的集電極，所述PNP三極管M6的集電極接NPN三極管M2的集電極。

4.根據權利要求1-3任意一項所述的精確的POR電路，其特征在于：還包括分壓電路，所述分壓電路的輸入端接輸入電源，所述分壓電路的輸出端接閾值產生電路的輸入端。

5.根據權利要求4所述的精確的POR電路，其特征在于：所述分壓電路包括電阻R3-R4、運放A1和NMOS管M5，所述電阻R3和R4串聯后接在輸入電源與地之間，所述電阻R3和R4之間的節點接運放A1的同相輸入端，所述運放A1的反相輸入端接電阻R0的第一端，所述運放A1的輸出端接NMOS管M5的柵極，所述NMOS管M5的漏極接輸入電源，所述NMOS管M5的源極接電阻R0的第一端。

6.根據權利要求5所述的精確的POR電路，其特征在于：所述電阻R3和/或電阻R4為可調電阻。

7.一種精確的POR電路，其特征在于：包括閾值產生電路和反相器INV1，所述閾值產生電路包括PNP三極管M0-M2、電阻R0-R1和第二電流鏡，所述PNP三極管M0和M2的發射極面積相等，所述PNP三極管M0的發射極面積與PNP三極管M1的發射極面積的比值大于1，所述PNP三極管M0的發射極作為閾值產生電路的輸入端接輸入電源，所述PNP三極管M0的集電極串聯電阻R0接地，所述PNP三極管M0-M2的基極和PNP三極管M0的集電極連接，所述PNP三極管M1的發射極串聯電阻R1接PNP三極管M0的發射極，所述PNP三極管M1的集電極接第二電流鏡的輸入端，所述PNP三極管M2的發射極接PNP三極管M0的發射極，所述PNP三極管M2的集電極接第二電流鏡的輸出端，所述PNP三極管M2的集電極作為閾值產生電路的輸出端接反相器INV1的輸入端。

8.根據權利要求7所述的精確的POR電路，其特征在于：還包括分壓電路，所述分壓電路的輸入端接輸入電源，所述分壓電路的輸出端接閾值產生電路的輸入端。

9.根據權利要求8所述的精確的POR電路，其特征在于：所述分壓電路包括電阻R3-R4、運放A1和NMOS管M5，所述電阻R3和R4串聯后接在輸入電源與地之間，所述電阻R3和R4之間的節點接運放A1的同相輸入端，所述運放A1的反相輸入端接PNP三極管M0的發射極，所述運放A1的輸出端接NMOS管M5的柵極，所述NMOS管M5的漏極接輸入電源，所述NMOS管M5的源極接PNP三極管M0的發射極。

10.根據權利要求9所述的精確的POR電路，其特征在于：所述電阻R3和/或電阻R4為可調電阻。