[發明專利]一種金屬氧化物納米顆粒薄膜的制備方法及電學器件

有效

• 申請號: 201710508825.8
• 申請日: 2017-06-28
• 公開（公告）號: CN109148695B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 程陸玲;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/56;H01L51/42;H01L51/50;C01G23/047;C01G23/053;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

步驟A、通過金屬鹵化物在有機醇中進行加熱醇解制備含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒；

步驟B、將含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒采用溶液法制備得到含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒薄膜；

所述有機醇為苯基醇。

2.根據權利要求1所述的含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟A具體包括：將金屬鹵化物與有機醇混合，然后加熱，最后通過第一有機溶劑和第二有機溶劑對反應體系進行離心分離處理，得到含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒；

所述第一有機溶劑和所述第二有機溶劑的極性不同。

3.根據權利要求2所述的含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒薄膜的制備方法，其特征在于，所述金屬鹵化物與有機醇相應的摩爾與體積比例范圍為（1-3mmol）：(5-20ml)；

和/或所述金屬鹵化物為TiCl₄、TiBr₄、TiI₄、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂中的一種；

和/或所述苯基醇包括：苯甲醇、苯乙醇、苯丁醇、2,4-苯二乙醇、1,4-苯二乙醇、3,4-苯二乙醇、2,4-苯二甲醇、1,4-苯二甲醇、3,4-苯二甲醇、2,4-苯二丁醇、1,4-苯二丁醇、3,4-苯二丁醇中的一種或多種；

和/或所述第一有機溶劑和所述第二有機溶劑的極性不同，所述第一有機溶劑為乙醇、甲醇、丙酮中的一種或多種；

和/或所述第二有機溶劑為乙酸乙酯、乙酸甲酯、甲酸乙酯中的一種或多種；

和/或所述金屬氧化物納米顆粒為TiO₂、ZnO、SnO₂、Zn₂SnO₄中的一種，所述金屬氧化物納米顆粒的尺寸在1-15nm之間；

和/或鹵素相對于金屬氧化物納米顆粒的外表面的金屬元素的摩爾比為10%-15%；

和/或所述鹵素配體為鹵原子和鹵離子中的一種，所述鹵原子為F、Cl、Br、I中的一種，所述鹵離子為F^-、Cl^-、Br^-、I^-中的一種。

4.根據權利要求2所述的含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟A中，加熱的溫度為40-150℃，加熱的時間為1-4h，所述金屬鹵化物的濃度為0.1-0.5mmol/ml。

5.根據權利要求1所述的含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟B具體包括：

將含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒分散在混合的極性溶劑和非極性溶劑中，得到含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒溶液；

將所述含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒溶液采用溶液法制備得到含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒薄膜。

6.根據權利要求1所述的含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒薄膜的制備方法，其特征在于，步驟B之后，還包括：

步驟C、利用鹵素分子對含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒薄膜進行鈍化處理，制備得到表面鹵素鈍化的含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒薄膜。

7.根據權利要求6所述的含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒薄膜的制備方法，其特征在于，

所述鹵素分子為鹵素單質和鹵間化合物中的一種，所述鹵素單質為F₂、Cl₂、Br₂、I₂中的一種，所述鹵間化合物為ICl、IBr、ICl₃中的一種。

8.一種電學器件，所述電學器件包括電子傳輸層，其特征在于，所述電子傳輸層材料為權利要求1至5任意一項所述制備方法制備得到的所述含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒薄膜或權利要求6或7所述制備方法制備得到的表面鹵素鈍化的含鹵素配體金屬氧化物納米顆粒薄膜中的一種。