[發明專利]晶片保持器和溫度調節裝置和制造晶片的方法有效
| 申請號: | 201710507447.1 | 申請日: | 2012-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN107452655B | 公開(公告)日: | 2021-03-12 |
| 發明(設計)人: | J.基伊維恩;B.肖特馮馬斯特;R.羅德 | 申請(專利權)人: | 歐瑞康先進科技股份公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉楨;劉林華 |
| 地址: | 列支敦士*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 保持 溫度 調節 裝置 制造 方法 | ||
1.一種待安裝到真空晶片處理腔室上的晶片保持器和溫度調節布置,包括:
·基座布置,其具有一種延伸的基本上平面表面,所述延伸的基本上平面表面以繞所述基本上平面表面的中心的一種突伸圓形邊沿表面為界;
·金屬圓形晶片載板,其相對于所述基本上平面表面的所述中心居中安裝,所述金屬圓形晶片載板的一個表面、所述延伸的基本上平面表面和所述突伸圓形邊沿表面共同限定一種加熱器隔室,所述金屬圓形晶片載板可相對于所述基座布置圍繞穿過所述延伸的基本上平面表面的所述中心的一種幾何軸線而受驅動旋轉;
·多個加熱器燈管,其沿著所述延伸的基本上平面表面和沿著所述金屬圓形晶片載板的所述一個表面而布置于所述加熱器隔室中,并且直接向所述金屬圓形晶片載板的所述一個表面暴露并且安裝到所述基座布置上;
其中所述加熱器隔室操作于真空環境中。
2.根據權利要求1所述的晶片保持器和溫度調節布置,包括電功率控制單元,其控制所述多個加熱器燈管的功率并且設想到操作所述多個加熱器燈管以沿著與其所述一個表面相反的所述金屬圓形晶片載板的另一個表面形成在所述另一表面上平均化的至少800℃的最高溫度。
3.根據權利要求1或2所述的晶片保持器和溫度調節布置,所述多個加熱器燈管包括安裝于所述加熱器隔室中的多個相同的加熱器燈管,相對于從所述中心到所述圓形邊沿表面的徑向方向具有相同取向。
4.根據權利要求3所述的晶片保持器和溫度調節布置,所述加熱器燈管的所述長度延伸方向與所述徑向方向成角偏移。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的晶片保持器和溫度調節布置,所述加熱器隔室中所述加熱器燈管的至少一部分的位置是可調整的。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的晶片保持器和溫度調節布置,包括穿過所述金屬圓形晶片載板的所述另一個表面并且沿著所述另一表面的一種氣體出口與分配布置。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的晶片保持器和溫度調節布置,包括在所述基座布置中的管路布置,其設想為使液體在其中流動。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的晶片保持器和溫度調節布置,包括晶片固持布置,其操作性地聯接到所述金屬圓形晶片載板,其中特別是所述晶片固持布置為重量環,所述重量環的尺寸適于安放于待加工的晶片外圍,所述重量環優選地設想為電連接到電偏壓源。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的晶片保持器和溫度調節布置,所述加熱器燈管具有在所述延伸的基本上平面表面與所述金屬圓形晶片載板的所述一個表面之間填充所述加熱器隔室而不與所述剛提到的表面相接觸的厚度范圍。
10.根據權利要求1至9中任一項所述的晶片保持器和溫度調節布置,所述延伸的基本上平面表面和所述突伸外圍圓形邊沿表面為熱反射器表面,優選地受高光澤拋光。
11.根據權利要求1至10中任一項所述的晶片保持器和溫度調節布置,所述金屬圓形晶片載板與所述基座布置電隔離并且優選地設想為電連接到電偏壓源。
12.根據權利要求1至11中任一項所述的晶片保持器和溫度調節布置,所述晶片載板設想到用于下列之一:
·100mm直徑晶片,所述多個包括四個500W鹵素加熱器燈管,
·150mm直徑晶片,所述多個包括五個500W鹵素加熱器燈管,
·200mm直徑晶片,所述多個包括十個250W鹵素加熱器燈管。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于歐瑞康先進科技股份公司,未經歐瑞康先進科技股份公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710507447.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種外延結構刻蝕率的檢測方法
- 下一篇:一種硅片快速翻轉機構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





