[發明專利]一種高能量轉換率復合含能薄膜橋有效
| 申請號： | 201710506529.4 | 申請日： | 2017-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN107121035B | 公開（公告）日： | 2018-08-21 |
| 發明（設計）人： | 蔣洪川;張宇新;趙曉輝;閆裔超;鄧新武;張萬里 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | C06C5/06 | 分類號： | C06C5/06;F42C19/08 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 閆樹平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高能量 轉換率 復合 薄膜 | ||
【權利要求書】：
1.一種高能量轉換率復合含能薄膜橋，從下至上依次包括基片、金屬膜橋和含能薄膜層，其特征在于：還包括聚四氟乙烯PTFE薄膜層和二個電極焊盤；
金屬膜橋設置在基片之上，其上方直接接觸的為一聚四氟乙烯薄膜層；
所述聚四氟乙烯薄膜層最少一層，位于金屬膜橋上方；
所述含能薄膜層最少一層，與金屬膜橋不直接接觸；
不同聚四氟乙烯薄膜層之間不直接接觸，結構上通過含能薄膜層隔開；
二個電極焊盤分別與聚四氟乙烯薄膜層和含能薄膜層兩端實現電接觸，置于金屬橋膜之上。
2.如權利要求1所述高能量轉換率復合含能薄膜橋，其特征在于：所述含能薄膜層材料選用Al/CuO、Al/Ni、B/Ti或Al/NiO。
3.如權利要求1所述高能量轉換率復合含能薄膜橋，其特征在于：所述基片采用陶瓷基片、硅基片或者玻璃基片。
4.如權利要求1所述高能量轉換率復合含能薄膜橋，其特征在于：所述金屬膜橋的材料選Cu、Au或Pt。
5.如權利要求1所述高能量轉換率復合含能薄膜橋，其特征在于：所述電極焊盤的材料選Cu、Au或Ag。
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