[發(fā)明專利]芯片封裝件的篡改檢測(cè)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710506432.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107546205B | 公開(公告)日: | 2021-01-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 理查·S·格拉夫;E·D·B·霍爾;F·帕克巴茲;沙巴斯欽·T·凡托尼 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 馬維爾亞洲私人有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/48 | 分類號(hào): | H01L23/48;H01L23/482;H01L23/50;H01L23/00 |
| 代理公司: | 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽(yáng) |
| 地址: | 新加坡*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 封裝 篡改 檢測(cè) | ||
本發(fā)明揭示芯片封裝件的篡改檢測(cè),其具有改進(jìn)防篡改的芯片封裝件以及使用此類芯片封裝件來提供改進(jìn)防篡改的方法。導(dǎo)線架包括芯片附著座、外引腳,以及位于該外引腳與該芯片附著座之間的內(nèi)引腳。芯片附著至該芯片附著座。該芯片包括表面,該表面具有外邊界以及鄰近該外邊界布置的接合墊。第一多條線自該外引腳延伸至該芯片的該表面上的相應(yīng)位置,該些位置相對(duì)該接合墊在該外邊界的內(nèi)部。篡改檢測(cè)電路與該第一多條線耦接。第二多條線自該內(nèi)引腳延伸至該芯片上的該接合墊。該第二多條線位于該導(dǎo)線架與該第一多條線之間。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及芯片封裝,尤其涉及芯片的防篡改封裝件以及使用此類封裝件提供防篡改的方法。
背景技術(shù)
芯片封裝在產(chǎn)品保護(hù)及芯片安全方面起作用。例如,芯片封裝件可保護(hù)被封閉的芯片免受損傷。至于芯片安全,可應(yīng)用防篡改技術(shù)來防止攻擊者偷偷訪問芯片并阻止逆向工程。
需要以改進(jìn)防篡改為特征的芯片封裝件以及使用此類芯片封裝件的方法。
發(fā)明內(nèi)容
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,一種結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)線架,其具有芯片附著座、多個(gè)外引腳,以及位于該外引腳與該芯片附著座之間的多個(gè)內(nèi)引腳。芯片附著至該芯片附著座。該芯片包括表面,該表面具有外邊界以及鄰近該外邊界布置的多個(gè)接合墊。第一多條線自該外引腳延伸至該芯片的該表面上的相應(yīng)位置,該些位置相對(duì)該接合墊在該外邊界的內(nèi)部。篡改檢測(cè)電路與該第一多條線耦接。第二多條線自該內(nèi)引腳延伸至該芯片上的該接合墊。該第二多條線位于該導(dǎo)線架與該第一多條線之間。
依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例,提供一種方法以檢測(cè)附著至導(dǎo)線架上的芯片附著座的芯片的篡改的方法。該方法包括:向第一多條線發(fā)送第一信號(hào),該第一多條線自該導(dǎo)線架上的多個(gè)外引腳延伸至該芯片的表面上方的相應(yīng)位置;向第二多條線發(fā)送第二信號(hào),該第二多條線自該導(dǎo)線架上的多個(gè)內(nèi)引腳延伸至芯片的該表面上的多個(gè)接合墊;以及通過篡改保護(hù)電路監(jiān)控該第一信號(hào)。
附圖說明
包含于并構(gòu)成本說明書的一部分的附圖說明本發(fā)明的各種實(shí)施例,并與上面所作的本發(fā)明的概括說明以及下面所作的實(shí)施例的詳細(xì)說明一起用以解釋本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1顯示依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的芯片封裝件的剖視圖。
圖2顯示圖1的芯片封裝件的頂視圖,其中,出于說明目的移除了外殼。
圖3顯示依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例利用連接芯片與封裝件的線的篡改檢測(cè)系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參照?qǐng)D1、2并依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,芯片封裝件10包括芯片12、導(dǎo)線架14,以及具有外表面17的外殼16。芯片12包括一個(gè)或多個(gè)集成電路,其具有通過使用前端工藝(front-end-of-line;FEOL)制程形成的裝置結(jié)構(gòu)。該FEOL制程可包括例如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementary-metal-oxide-semiconductor;CMOS)制程,該制程用以構(gòu)建經(jīng)耦接以實(shí)施邏輯門及其它類型數(shù)字電路的p型與n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的組合。芯片12包括建立外邊界或周邊的側(cè)邊26,以及被側(cè)邊26圍繞或限制的表面38。
導(dǎo)線架14包括芯片附著墊或座18,其相對(duì)內(nèi)引腳20及外引腳22居中設(shè)置。導(dǎo)線架14可由金屬(例如銅或銅合金)的薄層組成。芯片12通過例如導(dǎo)熱和/或?qū)щ婐じ絼┑膶?4附著至芯片附著座18。芯片附著座18的不同側(cè)邊分別與芯片12的側(cè)邊26對(duì)齊。可將芯片封裝件10表面貼裝至襯底40,例如印刷電路板或?qū)盈B襯底。芯片附著座18為從芯片12(當(dāng)開啟時(shí))至襯底40的熱傳遞提供低熱阻路徑。
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