[發明專利]一種超微型半導體致冷器件的制作工藝

有效

• 申請號: 201710505937.8
• 申請日: 2017-06-27
• 公開（公告）號: CN107359233B
• 公開（公告）日: 2019-12-27
• 發明（設計）人: 趙麗妍
• 申請（專利權）人: 秦皇島富連京電子股份有限公司
• 主分類號: H01L35/34
• 分類號: H01L35/34
• 代理公司: 11399 北京冠和權律師事務所
• 代理人: 朱健;陳國軍

1.一種超微型半導體致冷器件的制作工藝，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1、先將貫穿分布有定位窗口的透明柔性膜粘貼在藍膜上，然后將噴有金屬鍍層的晶片粘接在藍膜上，再根據定位窗口的位置對晶片劃切成晶粒，使得晶粒位于定位窗口內，以及使用擴膜機對藍膜及其上粘接著的晶粒擴展，并將擴展后藍膜背向晶粒一側面置于模具上；

在晶片上噴金屬鍍層的步驟包括：鎳絲經過加溫后均勻噴于晶片表面上，噴好鎳后再鍍一層錫；

步驟S2、將步驟S1得到的模具安裝到排片機的材料架上，將印刷完焊膏的瓷片放置在排片機的工作臺上，在瓷片的焊膏上形成分布設置的定位槽口，利用排片機上的吸頭將步驟S1得到模具上晶粒吸起，并放置到瓷片定位槽口中；

步驟S3、將步驟S2得到的瓷片放置在返修臺的加熱臺上，先在另一個瓷片面向步驟S2得到的瓷片一側面的四周邊緣上形成導熱涂層，再將另一個瓷片吸附在返修臺上方的吸口上，將另一個瓷片與步驟S2得到的瓷片對齊并貼附壓緊，再啟動加熱臺進行加溫焊接，焊接溫度為220～290℃，時間為1-2min，焊接完成后冷卻。

2.根據權利要求1所述的超微型半導體致冷器件的制作工藝，其特征在于，步驟S1中，使用粘片機將噴有金屬鍍層的晶片粘接在藍膜上，再使用劃片機對晶片劃切成晶粒。

3.根據權利要求1所述的超微型半導體致冷器件的制作工藝，其特征在于，步驟S3中，利用返修臺的鏡頭系統觀察并調整加熱臺的位置，使步驟S2得到的瓷片與位于吸口上瓷片的相對位置對齊，然后移開鏡頭系統，放下吸口上的瓷片，貼附并壓緊下面的晶粒，在啟動加熱臺進行加溫焊接，焊接完成并冷卻后，取出產品。