[發明專利]蝕刻方法、半導體芯片的制造方法及物品的制造方法

有效

• 申請號: 201710505113.0
• 申請日: 2017-06-28
• 公開（公告）號: CN107665820B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 松尾圭一郎;淺野佑策;樋口和人;下川一生
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周欣;陳建全

1.一種蝕刻方法，其包括以下步驟：

在由半導體形成的表面上，形成由貴金屬形成的催化劑層，所述催化劑層包含將所述表面至少部分地被覆的第1部分、和位于所述第1部分上且與所述第1部分相比表觀上的密度較小、且較厚的第2部分；和

向所述催化劑層供給蝕刻劑，基于所述催化劑層的作為催化劑的作用，對所述表面進行蝕刻。

2.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其中，所述貴金屬為選自由Au、Ag、Pt及Rh組成的組中的1種以上的金屬。

3.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其中，所述半導體包含Si。

4.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其中，所述蝕刻劑包含H₂O₂。

5.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其中，進一步包括在所述表面形成包含寬度為0.1μm至15μm的范圍內的開口部的掩模層的步驟，在所述開口部的位置進行蝕刻。

6.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其中，所述第2部分含有由所述貴金屬形成的枝晶。

7.一種半導體芯片的制造方法，其包括將半導體晶片通過權利要求1至6中任1項所述的蝕刻方法進行蝕刻而單片化成半導體芯片的步驟，所述表面為所述半導體晶片的表面。

8.一種物品的制造方法，其包含通過權利要求1至6中任1項所述的蝕刻方法對所述表面進行蝕刻的步驟。