[發明專利]四硒化二鈷鎳中空納米棱柱材料及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201710502823.8
• 申請日: 2017-06-27
• 公開（公告）號: CN107311119B
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 麥立強;陳成;朱少華;安琴友
• 申請（專利權）人: 武漢理工大學
• 主分類號: C01B19/00
• 分類號: C01B19/00;H01M4/58;H01M10/0525;H01M10/054
• 代理公司: 42102 湖北武漢永嘉專利代理有限公司
• 代理人: 崔友明

1.一種四硒化二鈷鎳中空納米棱柱材料，其為中空結構，所述納米棱柱長1～1.5微米，寬150～250納米。

2.權利要求1所述的四硒化二鈷鎳中空納米棱柱材料的制備方法，其特征在于包括有以下步驟：

1)將鎳鈷前驅體稱取125mg與0.111g二氧化硒粉末，溶于35ml苯甲醇溶液，在室溫下充分攪拌；所述的鎳鈷前驅體的制備方法是：

a)量取5g聚乙烯吡咯烷酮PVP粉末、質量比例為1:2的1.28g四水合醋酸鎳與四水合醋酸鈷粉末的混合，溶解于有機溶液中，在室溫下充分攪拌；

b)將步驟a)所得溶液在冷凝回流的裝置下加熱反應；

c)將步驟b)所得產物離心過濾，洗滌所得沉淀物，烘干得到鎳鈷前驅體；

2)將步驟1)所得溶液轉移到反應釜中，加熱以進行溶劑熱反應；

3)將步驟2)所得產物離心過濾，反復洗滌所得沉淀物，烘干。

3.根據權利要求2所述的四硒化二鈷鎳中空納米棱柱材料的制備方法，其特征在于所述的聚乙烯吡咯烷酮PVP為PVP-K13、PVP-K17或PVP-K30，其中所述的PVP-K13、PVP-K17的MW～10000。

4.根據權利要求2所述的四硒化二鈷鎳中空納米棱柱材料的制備方法，其特征在于步驟b)所述的反應溫度為80～90℃，反應時間為3～6小時。

5.根據權利要求2所述的四硒化二鈷鎳中空納米棱柱材料的制備方法，其特征在于步驟2)所述的反應溫度為120～160℃，反應時間為8～24小時。

6.權利要求1所述的四硒化二鈷鎳中空納米棱柱材料作為鋰離子或鈉離子電池負極活性材料的應用。