[發(fā)明專利]自含計量晶片載具系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710499154.3 | 申請日: | 2017-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN107546162B | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | A·貝洛;S·韋特;威廉·約翰·方尼特;T·貝格 | 申請(專利權(quán))人: | 格羅方德半導體公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 英屬開曼群*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 計量 晶片 系統(tǒng) | ||
1.一種用于自動化材料搬運系統(tǒng)的半導體晶片載具系統(tǒng),該半導體晶片載具系統(tǒng)包含:
外殼,經(jīng)組配用于與該自動化材料搬運系統(tǒng)接合以將該半導體晶片載具系統(tǒng)自一個站輸送至另一個站,該外殼具有組配成用來在該外殼中支撐半導體晶片的支撐件,其中,該支撐件包括微運動馬達,以將該半導體晶片朝向及遠離計量系統(tǒng)移動;以及
該計量系統(tǒng),布置于該外殼內(nèi),該計量系統(tǒng)可操作成用以測量該半導體晶片的至少一種特性,該計量系統(tǒng)包含:
感測單元;以及
運算單元,采可操作方式連接至該感測單元。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體晶片載具系統(tǒng),還包含:
電力源,用于供電給該感測單元及該運算單元。
3.如權(quán)利要求2所述的半導體晶片載具系統(tǒng),其中,該電力源包含電池。
4.如權(quán)利要求1所述的半導體晶片載具系統(tǒng),還包含網(wǎng)絡配接器,采可操作方式連接至該外殼內(nèi)的該運算單元。
5.如權(quán)利要求1所述的半導體晶片載具系統(tǒng),還包含無線傳送器,用于傳送該半導體晶片的該至少一種特性至通訊網(wǎng)絡。
6.如權(quán)利要求1所述的半導體晶片載具系統(tǒng),還包含包體,布置于該外殼內(nèi),其中,該計量系統(tǒng)的至少一部分固定至該包體。
7.如權(quán)利要求1所述的半導體晶片載具系統(tǒng),其中,所測量的該至少一種特性是下列一或多者:膜厚、膜溫、該半導體晶片上的熱分布、膜組成、導電率、膜光學常數(shù)、表面粗糙度、晶片形貌、晶片翹曲、晶片表面上的缺陷、該晶片表面上的粒子數(shù)、及該晶片表面的反射率。
8.如權(quán)利要求1所述的半導體晶片載具系統(tǒng),其中,該感測單元是橢圓偏振光計、反射儀、及高溫計其中的一或多者。
9.如權(quán)利要求1所述的半導體晶片載具系統(tǒng),其中,該感測單元包含采可操作方式連接至該運算單元的至少一個探針,以及其中,該至少一個探針用于測量該半導體晶片的該至少一種特性。
10.如權(quán)利要求1所述的半導體晶片載具系統(tǒng),其中,該感測單元包含:
多任務器,采可操作方式連接至該運算單元;以及
多個探針,采可操作方式連接至該多任務器,以及
其中,該多個探針可操作用于測量該半導體晶片的該至少一種特性。
11.如權(quán)利要求1所述的半導體晶片載具系統(tǒng),其中,該感測單元包含:
發(fā)射部分,其包含:
激光;
偏光器,采可操作方式連接至該激光;以及
聚焦器,采可操作方式連接至該偏光器;以及
收集部分,其包含:
偵測器;
分析器,采可操作方式連接至該偵測器;以及
透鏡收集器,采可操作方式連接至該分析器;以及
其中,該聚焦器及該透鏡收集器可操作用于測量該半導體晶片的一部分。
12.如權(quán)利要求1所述的半導體晶片載具系統(tǒng),其中,該感測單元包含:
發(fā)射部分;
收集部分;以及
多任務器,采可操作方式連接至該發(fā)射部分及該收集部分,用于測量該半導體晶片的一部分上的該半導體晶片的該至少一種特性。
13.如權(quán)利要求12所述的半導體晶片載具系統(tǒng),其中,該發(fā)射部分包含:
激光;以及
偏光器,采可操作方式連接至該激光;以及
該收集部分包含:
偵測器;以及
分析器,采可操作方式連接至該偵測器;以及
其中,該多任務器采可操作方式連接至該偏光器及該分析器,該多任務器具有多個聚焦器及透鏡收集器,以及
其中,各聚焦器及透鏡收集器可操作用于測量該半導體晶片的該至少一種特性。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于格羅方德半導體公司,未經(jīng)格羅方德半導體公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710499154.3/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





