[發(fā)明專利]一種具有防反射層的砷化鎵太陽(yáng)能電池在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710498727.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109148609A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-01-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃孝如 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 海門(mén)市繡羽工業(yè)設(shè)計(jì)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0216 | 分類號(hào): | H01L31/0216;H01L31/0693 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 226100 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 砷化鎵 砷化鎵太陽(yáng)能電池 電極接觸層 防反射層 砷化鋁鎵 背電場(chǎng) 窗口層 襯底 光電轉(zhuǎn)換效率 防反射結(jié)構(gòu) 太陽(yáng)能電池 層疊設(shè)置 電極 反射 | ||
1.一種具有防反射層的砷化鎵太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述砷化鎵太陽(yáng)能電池依次包括:
砷化鎵襯底;
位于砷化鎵襯底上的背電場(chǎng)層;
位于背電場(chǎng)層上的砷化鎵p-n結(jié),所述砷化鎵p-n結(jié)包括層疊設(shè)置的n型砷化鎵層和p型砷化鎵層;
位于砷化鎵p-n結(jié)上的砷化鋁鎵窗口層;
位于砷化鋁鎵窗口層上的電極接觸層;
位于電極接觸層上的防反射層;
以及,位于電極接觸層上的若干電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有防反射層的砷化鎵太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述防反射層包括第一防反射層和第二防反射層,所述第一防反射層位氟化鎂層,第二防反射層為硫化鋅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種具有防反射層的砷化鎵太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述第一防反射層的厚度為30~50nm,第二防反射層的厚度為50~100nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有防反射層的砷化鎵太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述砷化鎵襯底與背電場(chǎng)層之間形成有砷化鎵緩沖層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種具有防反射層的砷化鎵太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述砷化鎵緩沖層包括低溫砷化鎵緩沖層及高溫砷化鎵緩沖層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種具有防反射層的砷化鎵太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述低溫砷化鎵緩沖層的厚度為10~50nm,高溫砷化鎵緩沖層的厚度為50~100nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有防反射層的砷化鎵太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述n型砷化鎵層的厚度為1~10μm,p型砷化鎵層的厚度為100~500nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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