[發(fā)明專利]多晶硅片生產(chǎn)工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710496573.1 | 申請日： | 2017-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN107162002A | 公開（公告）日： | 2017-09-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張兆民 | 申請（專利權(quán)）人： | 張兆民 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037;C30B28/08;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 221000 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶 硅片 生產(chǎn)工藝 | ||
1.一種多晶硅片生產(chǎn)工藝，其特征在于，包括以下步驟，
(1)選料，選擇純度好的工業(yè)硅；
(2)硅錠凝固，將選好的工業(yè)硅進(jìn)行水平區(qū)熔單向凝固成硅錠；
(3)去除雜質(zhì)，去除硅錠中金屬雜質(zhì)聚集的部分和外表部分；
(4)硅錠二次凝固，進(jìn)行第二次水平區(qū)熔單向凝固成硅錠；
(5)二次去雜，去除第二次區(qū)熔硅錠中金屬雜質(zhì)聚集的部分和外表部分；
(6)多晶硅生成，在電子束溶解爐中去除磷和碳雜質(zhì)，生成多晶硅；
(7)切片，將生產(chǎn)的多晶硅切片形成多晶硅片。
2.按照權(quán)利要求1所述的多晶硅片生產(chǎn)工藝，其特征在于：所述步驟(3)中去除硅錠中金屬雜質(zhì)聚集的部分和外表部分后，進(jìn)行粗粉碎和清洗，在高頻感應(yīng)爐中去除硼雜質(zhì)。
3.按照權(quán)利要求2所述的多晶硅片生產(chǎn)工藝，其特征在于：所述在高頻感應(yīng)爐中去除硼雜質(zhì)為將硅錠和精煉劑混合裝入石墨坩堝中，然后將石墨坩堝置于通有氬氣保護(hù)的高頻感應(yīng)爐中進(jìn)行逐步加熱升溫，待溫度升高到1580-1750℃時保溫3-5h,然后冷卻至室溫即可。
4.按照權(quán)利要求3所述的多晶硅片生產(chǎn)工藝，其特征在于：所述硅錠和精煉劑的質(zhì)量比為1:1-3:1。
5.按照權(quán)利要求3所述的多晶硅片生產(chǎn)工藝，其特征在于：氬氣流量控制在8-13L/min，逐步升溫為130℃/11min。
6.按照權(quán)利要求3-5中任一項所述的多晶硅片生產(chǎn)工藝，其特征在于：所述精煉劑采用氯化鈣或氯化鎂中的一種。
7.按照權(quán)利要求1所述的多晶硅片生產(chǎn)工藝，其特征在于：所述步驟(7)中多晶硅片的尺寸為6-8英寸。
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