[發明專利]一種基于多金屬氧酸鹽的阻變式存儲器及其制備方法

在審

• 申請號: 201710493811.3
• 申請日: 2017-06-26
• 公開（公告）號: CN107342360A
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發明（設計）人: 周曄;陳曉麗;韓素婷
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙)44268
• 代理人: 王永文,劉文求

1.一種基于多金屬氧酸鹽的阻變式存儲器，其特征在于，包括柔性基底以及從下至上依次設置在所述柔性基底上的底電極、第一聚合物層、多金屬氧酸鹽層、第二聚合物層和頂電極。

2.根據權利要求1所述的基于多金屬氧酸鹽的阻變式存儲器，其特征在于，所述多金屬氧酸鹽層的陰離子化學式為：[A_xB_mO_y]^n?，其中A為W、Mo、V、Ta或Nb中的一種，B為Si、S或P中的一種，x、y、m和n均為整數。

3.根據權利要求1所述的基于多金屬氧酸鹽的阻變式存儲器，其特征在于，所述柔性基底的材料為PET塑料。

4.根據權利要求1所述的基于多金屬氧酸鹽的阻變式存儲器，其特征在于，所述底電極和頂電極均由具有延展性的金屬材料構成，所述金屬材料為Al、Cu、Au或Pt中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的基于多金屬氧酸鹽的阻變式存儲器，其特征在于，所述底電極和頂電極的厚度均為80-100nm。

6.根據權利要求1所述的基于多金屬氧酸鹽的阻變式存儲器，其特征在于，所述第一聚合物層和第二聚合物層的材料為聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙烯醇或聚乙烯吡咯烷酮中的一種。

7.一種如權利要求1-6任一所述的基于多金屬氧酸鹽的阻變式存儲器的制備方法，其特征在于，包括步驟：

A、以熱蒸發的形式在柔性基底上制備底電極；

B、在底電極上旋涂聚合物形成第一聚合物層，之后進行退火處理；

C、在退火后的第一聚合物層上旋涂預先制備好的多金屬氧酸鹽溶液，形成多金屬氧酸鹽層；

D、在多金屬氧酸鹽層上旋涂聚合物形成第二聚合物層；

E、以熱蒸發的形式在第二聚合物層上制備頂電極，制得基于多金屬氧酸鹽的阻變式存儲器。

8.根據權利要求7所述的基于多金屬氧酸鹽的阻變式存儲器的制備方法，其特征在于，所述步驟A之前還包括：

A0、預先將多金屬氧酸鹽溶解在水或乙腈溶劑中，制得多金屬鹽酸鹽溶液。

9.根據權利要求7所述的基于多金屬氧酸鹽的阻變式存儲器的制備方法，其特征在于，所述步驟B中，對第一聚合物層進行退火處理的溫度為90-100℃，時間為1-2h。

10.根據權利要求1所述的基于多金屬氧酸鹽的阻變式存儲器的制備方法，其特征在于，在所述步驟C中，通過調節旋涂速度1500-3500rpm和多金屬氧酸鹽的濃度0.05-0.3mg/ml來控制多金屬氧酸鹽層的厚度。