[發明專利]一種放射性工況下的激光去污裝置

在審

• 申請號: 201710492865.8
• 申請日: 2017-06-26
• 公開（公告）號: CN107134302A
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發明（設計）人: 魏少翀;陳國星;吳樹輝;季驊;潘晨陽;黃騫;王博;覃恩偉;尹嵩;葉林;陸海峰
• 申請（專利權）人: 蘇州熱工研究院有限公司;中國廣核集團有限公司;中國廣核電力股份有限公司
• 主分類號: G21F9/30
• 分類號: G21F9/30;G21F9/06;B08B7/00
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司32103
• 代理人: 孫仿衛,林傳貴

1.一種放射性工況下的激光去污裝置，其特征在于，包括殼體(1)、設置于所述殼體(1)內的清洗激光輸出模塊(2)、設置在殼體(1)上的抗輻射窗口及嵌置在所述抗輻射窗口中的抗輻射玻璃(3)，所述清洗激光輸出模塊(2)發射的清洗激光穿過所述抗輻射玻璃(3)，進而到達待去污物體表面(4)，所述抗輻射玻璃(3)的外側壁與抗輻射窗口上用于嵌置抗輻射玻璃(3)的內側壁完全接觸，所述抗輻射窗口的內側壁由導熱金屬材料制成。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括降溫單元，所述降溫單元用于對所述抗輻射玻璃(3)進行降溫。

3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述抗輻射玻璃(3)上設置有增透膜。

4.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述增透膜的設置方法包括：

S1、將抗輻射玻璃放入密閉裝置內，并對所述密閉裝置進行抽真空操作；

S2、對所述抗輻射玻璃進行預熱；

S3、通過等離子化學氣相沉積法在玻璃表面形成等離子氦氣噴涂膜層；

S4、在所述氦氣噴涂膜層外交替噴涂至少兩層五氧化三鈦層和兩層氧化鈦硅層；

S5、在最外層噴涂連三甲苯保護層；

S6、燒結，以完成抗輻射玻璃正反面上增透膜的設置。

5.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括溫度傳感器與控制器，所述溫度傳感器用于采集所述抗輻射玻璃(3)的實時溫度，所述溫度傳感器與控制器的輸入端連接，所述控制器的輸出端與所述降溫單元連接。

6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述控制器根據溫度傳感器的檢測結果，控制降溫單元的工作模式，包括：若檢測結果低于第一溫度閾值，則關閉降溫單元；若檢測結果高于第二溫度閾值，則開啟降溫單元。

7.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，控制器控制降溫單元的工作模式還包括：若開啟降溫單元后，檢測結果為溫度升高，則增大所述降溫單元的工作功率。

8.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述清洗激光輸出模塊(2)為藍光激光發射器。

9.根據權利要求1-8中任意一項所述的裝置，其特征在于，所述裝置上固定設置有在線校正輔助單元，所述在線校正輔助單元包括第二殼體(5)、測量激光輸出模塊(6)、功率調節模塊(7)、窄帶濾波模塊(10)、探測信號收集靶面(8)及信號提取處理模塊(9)，所述第二殼體(5)上嵌置有第二抗輻射玻璃(51)，所述測量激光輸出模塊(6)發射的測量激光穿過所述第二抗輻射玻璃(51)，并在待去污物體表面(4)反射后穿過所述第二抗輻射玻璃(51)，經窄帶濾波模塊(10)過濾，并收集于所述探測信號收集靶面(8)，所述信號提取處理模塊(9)提取探測信號收集靶面(8)的接收功率信號并做信號處理，并將處理結果轉發給功率調節模塊(7)，所述功率調節模塊(7)根據所述接收功率信號的處理結果對所述測量激光輸出模塊(6)進行功率增益調節。

10.一種在玻璃表面制備增透膜的方法，其特征在于，包括：

S1、將抗輻射玻璃放入密閉裝置內，并對所述密閉裝置進行抽真空操作；

S2、對所述抗輻射玻璃進行預熱；

S3、通過等離子化學氣相沉積法在玻璃表面形成等離子氦氣噴涂膜層；

S4、在所述氦氣噴涂膜層外交替噴涂至少兩層五氧化三鈦層和兩層氧化鈦硅層；

S5、在最外層噴涂連三甲苯保護層；

S6、燒結，以完成抗輻射玻璃正反面上增透膜的設置。