[發明專利]一種基于加長半蝕刻拱形內引腳QFN框架及其封裝芯片

在審

• 申請號: 201710491790.1
• 申請日: 2017-06-20
• 公開（公告）號: CN107195612A
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 彭林源;王玲
• 申請（專利權）人: 南京矽邦半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204
• 代理人: 呂朦

技術領域

本發明涉及引腳框架技術領域，尤其涉及一種基于加長半蝕刻拱形內引腳QFN框架及其封裝芯片。

背景技術

在半導體QFN封裝的引線框設計時，內引腳設計因基島設計尺寸盡可能大而變短，當芯片封裝在這種大基島框架中時，則需要從芯片引腳拉出較長的焊線才能與內引腳聯通。在一些焊線布局復雜情況下，焊線與焊線之間因為線長，導致焊線漂移短路，電阻值變高等異常，使得產品良率因此損失，功能達不到設計要求等問題。

發明內容

發明目的：為了解決現有技術存在的缺點，盡量避免焊線在塑封時發生漂移短路現象，本發明提供一種基于加長半蝕刻拱形內引腳QFN框架。

本發明的另一目的是提供一種基于加長半蝕刻拱形內引腳QFN框架的封裝芯片。

技術方案：一種基于加長半蝕刻拱形內引腳QFN框架，包括蝕刻區和基島固定區，所述蝕刻區位于基島固定區的周圍，蝕刻區與基島固定區之間設有基島支架，基島支架為半蝕刻，基島固定區包括基島，所述基島固定在基島支架頂部，基島用于固定芯片；蝕刻區與基島固定區之間不直接接觸，蝕刻區包括多個引腳，引腳包括引腳根部、引腳中部和引腳前部；引腳前部位于靠近基島的蝕刻區內邊上，引腳根部位于遠離基島的蝕刻區外邊上，引腳根部和引腳前部之間通過引腳中部連接；引腳根部和引腳前部為未蝕刻或部分半蝕刻，引腳中部為半蝕刻；還包括焊線，焊線的一端連接引腳前部，焊線的另一端連接芯片的焊接點。

進一步的，所述引腳根部和引腳前部均為細長的矩形。

進一步的，所述引腳前部靠近基島的一端部分半蝕刻，引腳前部遠離基島的一端未蝕刻。

進一步的，還包括塑封料，所述塑封料將蝕刻區和基島固定區密封起來，所述塑封料為長方體或圓柱狀，且由塑封料粉狀顆粒料堆砌而成。

進一步的，所述蝕刻區與基島固定區之間采用全蝕刻的方式使蝕刻區與基島固定區之間不直接接觸。

進一步的，還包括隔離帶，所述隔離帶貼附在蝕刻區和基島固定區的背面，所述隔離帶為耐高溫PET薄膜或PEEK片材膜，隔離帶可剝離。

進一步的，基島固定區為矩形，蝕刻區為回字環狀結構。

進一步的，所述引腳根部與引腳前部的長均與朝向的基島固定區的邊長垂直，多個引腳的引腳前部的間距小于多個引腳的引腳根部的間距。

進一步的，引腳中部的一端連接引腳前部遠離基島的一端，引腳中部的另一端連接引腳根部靠近基島的一端。

一種基于加長半蝕刻拱形內引腳QFN框架的封裝芯片，包括基于加長半蝕刻拱形內引腳QFN框架與芯片，所述芯片固定在基于加長半蝕刻拱形內引腳QFN框架的基島上。

有益效果：本發明提供一種基于加長半蝕刻拱形內引腳QFN框架及其封裝芯片，通過引腳根部和引腳前部設計成長條形矩形，加長引腳的長度，替代一部分的焊線，縮短了所需焊線的長度，能夠極大程度的避免焊線在塑封時發生漂移短路現象，能夠增加成品率，提高生產效益。

附圖說明

圖1為本發明提出的一種基于加長半蝕刻拱形內引腳QFN框架的結構示意圖；

圖2為本發明提出的一種基于加長半蝕刻拱形內引腳QFN框架的背面結構示意圖；

圖3為圖1中A-A方向的剖視圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步說明。

如圖1和2所示，一種基于加長半蝕刻拱形內引腳QFN框架，包括蝕刻區1和基島固定區，基島固定區包括基島2，基島用于固定芯片7；所述蝕刻區1位于基島固定區的周圍，蝕刻區1與基島固定區之間設有基島支架3，所述基島支架3為半蝕刻；所述基島2固定在基島支架3頂部；蝕刻區與基島固定區之間不直接接觸，通過全蝕刻將蝕刻區與基島固定區之間的部分挖空，使其不直接接觸；蝕刻區1包括多個引腳，引腳包括引腳根部4、引腳中部6和引腳前部5；引腳前部5位于靠近基島2的蝕刻區內邊上，引腳根部4位于遠離基島2的蝕刻區外邊上，引腳根部4和引腳前部5之間通過引腳中部6連接；引腳根部4未蝕刻，引腳前部5靠近基島2的一端半蝕刻，引腳前部5遠離基島2的一端未蝕刻，當然，引腳前部5也可以未蝕刻，但效果不如本實施例更好；引腳中部6為半蝕刻；還包括焊線8，焊線8的一端連接引腳前部5，焊線8的另一端連接芯片7的焊接點。