[發(fā)明專利]一種光刻膠剝離液

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710488370.8
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN107085357A
• 公開（公告）日: 2017-08-22
• 發(fā)明（設計）人: 劉江華
• 申請（專利權）人: 昆山欣谷微電子材料有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發(fā)明涉及化學品制劑領域，具體是一種用于去除LED和半導體器件等微電子基底光刻膠殘余物的光刻膠剝離液。

背景技術

在通常的LED和半導體器件制造過程中，需要光刻膠作為抗掩模進行圖案化轉(zhuǎn)移，經(jīng)過曝光、顯影、蝕刻等光刻工藝并完成圖案化轉(zhuǎn)移之后，需要去除光刻膠殘余物，以便進行下一道工藝。在這個過程中要求完全除去光刻膠殘余物，同時不能腐蝕任何基材。

目前，光刻制程中所用的光刻膠主要以Novolic正膠和聚丙烯酸酯類負膠為主，與之相對應的去膠液主要就是堿性光刻膠剝離液。其中一類堿性光刻膠剝離液主成分中含有無機強堿如氫氧化鉀（KOH），氫氧化鈉（NaOH）或者季銨化合物。如US6040117A1公開了一種有機堿性的清洗液，其組成是四甲基氫氧化銨（TMAH）、二甲基亞砜（DMSO）、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮和水；US2006115970公開了一種光刻膠剝離液，其組成是季銨化合物，羥胺及其衍生物，有機溶劑和水。US5962197A1公開了一種無機堿類的清洗液，其組成是吡咯烷酮、醇醚、氫氧化鉀、二甘醇胺，1,3-丁二醇和表面活性劑。這類光刻膠剝離液在清洗過程中能夠非常有效的去除晶圓上的光刻膠，但是由于此類強堿類光刻膠剝離液含有水分，對基底的腐蝕性會非常高。US2014/0155310A1公開了一種幾乎無水的光刻膠剝離液，其組成是季銨化合物，有機醇胺和有機極性溶劑。這種光刻膠剝離液盡管改善了對基底的腐蝕，但是由于其生產(chǎn)工藝十分復雜，成本極高，限制其使用范圍。另外一種是不含有無機強堿如氫氧化鉀（KOH），氫氧化鈉（NaOH）或者季銨化合物的堿性光刻膠剝離液，其主要成分是有機醇胺和極性有機溶劑。如CN201210042760公開了一種光刻膠清洗液，該清洗液包含醇胺，四氫糠醇以及苯并三氮唑和/或其衍生物。WO2006023061A1公開了一種光刻膠清洗液，其組成是N-甲基吡咯烷酮，乙醇胺，二甘醇胺，鄰苯二酚和水。這類光刻膠剝離液去膠能力較弱，只能用于去除正膠和厚度小于5微米左右的負膠，而對于一些由光刻工藝造成高度硬化交聯(lián)的光刻膠殘余物，以及一些聚丙烯酸酯類和聚酰亞胺類的負型厚膜光刻膠，都不能有效去除，限制了使用范圍。

綜上所述，清洗性能好，操作窗口大，同時對晶圓基底不產(chǎn)生腐蝕的光刻膠剝離液是開發(fā)的一個方向。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術問題就是針對當前的光刻膠剝離液操作窗口小，對晶圓基底腐蝕性較強，特別是對深度硬化交聯(lián)的光刻膠殘余物以及負型厚膜光刻膠去除能力較弱等問題，提供一種去膠能力強，操作窗口大，不腐蝕晶圓基底的光刻膠剝離液。

本發(fā)明采用以下技術方案來實現(xiàn)。