[發(fā)明專利]晶棒的測試方法以及晶棒生長裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710487582.4
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN109112614A
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發(fā)明（設計）人: 鄧先亮
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: C30B15/20
• 分類號: C30B15/20;C30B29/06;G01B11/02
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 余昌昊

1.一種晶棒的測試方法，其特征在于，所述晶棒的測試方法包括：

提供一生長中的晶棒，所述晶棒具有生長棱線；

采集所述生長棱線的圖像數(shù)據(jù)；

將采集的所述生長棱線的圖像數(shù)據(jù)與預設值進行比較。

2.如權利要求1所述晶棒的測試方法，其特征在于，實時或者定時采集所述生長棱線的圖像數(shù)據(jù)。

3.如權利要求1所述晶棒的測試方法，其特征在于，當采集的所述生長棱線的圖像數(shù)據(jù)超出預設值時，發(fā)出警報。

4.如權利要求1所述晶棒的測試方法，其特征在于，所述晶棒設置在磁場環(huán)境中。

5.如權利要求1至4中任意一項所述晶棒的測試方法，其特征在于，所述晶棒的生長過程包括引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩和/或等徑。

6.如權利要求1至4中任意一項所述晶棒的測試方法，其特征在于，所述晶棒的晶體取向為〈100〉、〈110〉或〈111〉。

7.如權利要求1至4中任意一項所述晶棒的測試方法，其特征在于，采集所述生長中的晶棒的多個生長棱線。

8.一種晶棒生長裝置，其特征在于，所述晶棒生長裝置包括：

拉晶爐，所述拉晶爐用于生長晶棒，所述晶棒具有生長棱線；

圖像采集單元，所述圖像采集單元對準所述晶棒并采集所述生長棱線的圖像數(shù)據(jù)。

9.如權利要求8所述晶棒生長裝置，其特征在于，所述晶棒生長裝置還包括圖像分析單元，所述圖像分析單元將采集的所述生長棱線的圖像數(shù)據(jù)與預設值進行比較。

10.如權利要求9所述晶棒生長裝置，其特征在于，所述晶棒生長裝置還包括報警裝置，所述報警裝置連接所述圖像分析單元。

11.如權利要求8－10中任意一項所述晶棒生長裝置，其特征在于，所述晶棒生長裝置還包括電磁線圈，所述電磁線圈使所述晶棒位于磁場環(huán)境中。