[發明專利]眼圖交叉點調整電路

有效

• 申請號: 201710487396.0
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN107425924B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: 林安;李景虎;涂航輝
• 申請（專利權）人: 廈門億芯源半導體科技有限公司
• 主分類號: H04B10/69
• 分類號: H04B10/69;H03K3/017
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 岳泉清

1.眼圖交叉點調整電路，其特征在于，包括預放大電路和電壓-電流調整單元，

參考電壓V_REF為預放大電路提供直流工作點，跨阻放大器TIA輸出的數字信號通過交流耦合電容后保留交流小信號，交流小信號經過預放大電路幅值放大并輸出待調整數字信號電壓，該待調整數字信號電壓用于輸出給電壓-電流調整單元以及限幅放大器中后級放大器；

電壓-電流調整單元在芯片外部調整電壓VTHP、芯片外部調整電壓VTHN的控制下，輸出控制指令給預放大電路，以控制承載差模小信號數字電壓的直流電平大小，進而控制差模小信號數字電壓繪制眼圖的交叉點位置；

當跨阻放大器輸出的數字信號繪制的眼圖交叉點與0mV準線重合時，控制芯片外部調整電壓VTHP、VTHN的電壓值相等；

當跨阻放大器輸出的數字信號繪制的眼圖交叉點在0mV準線上方時，保持芯片外部調整電壓VTHN電壓值不變，調節芯片外部調整電壓VTHP逐漸調低，以使差模小信號數字電壓繪制眼圖的交叉點下移，直至到達0mV準線，停止調節芯片外部調整電壓VTHP；

當跨阻放大器輸出的數字信號繪制的眼圖交叉點在0mV準線下方時，保持芯片外部調整電壓VTHN電壓值不變，調節芯片外部調整電壓VTHP的電壓逐漸調高，以使差模小信號數字電壓繪制眼圖的交叉點上移，直至到達0mV準線，停止調節芯片外部調整電壓VTHP。

2.根據權利要求1所述的眼圖交叉點調整電路，其特征在于，預放大電路包括NPN晶體管Q1～Q4和電阻R1～R5；

NPN晶體管Q1的基極通過電容C1連接跨阻放大器TIA的正向輸出端；

參考電壓V_REF通過電阻R8為電容C1輸出的交流小信號提供直流工作點C；

NPN晶體管Q2的基極通過電容C2連接跨阻放大器TIA的反向輸出端；

參考電壓V_REF通過電阻R9為電容C2輸出的交流小信號提供直流工作點D；

NPN晶體管Q1的集電極同時連接電阻R4的一端、NPN晶體管Q5的集電極和待調整數字電壓輸出節點B；

NPN晶體管Q2的集電極同時連接電阻R5的一端、NPN晶體管Q6的集電極和待調整數字電壓輸出節點A；

NPN晶體管Q1的發射極同時連接電阻R1的一端和NPN晶體管Q3的集電極；

NPN晶體管Q2的發射極同時連接電阻R1的另一端和NPN晶體管Q4的集電極；

NPN晶體管Q3的基極、NPN晶體管Q4的基極同時接入偏置電壓V_b1；

NPN晶體管Q3的發射極通過電阻R2接地；

NPN晶體管Q4的發射極通過電阻R3接地；

電阻R4的另一端、電阻R5的另一端同時連接電源VDD。

3.根據權利要求1所述的眼圖交叉點調整電路，其特征在于，電壓-電流調整單元包括NPN晶體管Q5、NPN晶體管Q6、NMOS晶體管MN1、NMOS晶體管MN2、R6和R7；

NPN晶體管Q5的基極接入芯片外部調整電壓VTHP；

NPN晶體管Q6的基極接入芯片外部調整電壓VTHN；

NPN晶體管Q5的集電極連接待調整數字電壓輸出節點B；

NPN晶體管Q6的集電極連接待調整數字電壓輸出節點A；

NPN晶體管Q5的發射極通過電阻R6連接NMOS晶體管MN1的漏極；

NPN晶體管Q6的發射極通過電阻R7連接NMOS晶體管MN2的漏極；

NMOS晶體管MN1的柵極、NMOS晶體管MN2的柵極同時接入偏置電壓V_b2；

NMOS晶體管MN1的源極和NMOS晶體管MN2的源極同時接GND。

4.根據權利要求2所述眼圖交叉點調整電路，其特征在于，電阻R4和電阻R5的阻值相等。

5.根據權利要求2所述眼圖交叉點調整電路，其特征在于，電容C1和電容C2為交流耦合電容。