[發(fā)明專利]壓環(huán)組件和反應(yīng)腔室

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710485832.0
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN109119373A
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張君;王春
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;姜春咸

1.一種壓環(huán)組件，所述壓環(huán)組件包括壓環(huán)，所述壓環(huán)的下表面用于與待加工件上表面的邊緣接觸，以將所述待加工件固定在承載臺上，其特征在于，所述壓環(huán)組件還包括刻蝕削弱件，所述刻蝕削弱件設(shè)置在所述壓環(huán)的上表面，且所述刻蝕削弱件在所述待加工件上表面的正投影至少有一部分落在所述待加工件上表面內(nèi)，以降低靠近所述刻蝕削弱件的待加工件上表面的刻蝕速率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓環(huán)組件，其特征在于，所述刻蝕削弱件全部覆蓋所述壓環(huán)的上表面，且所述刻蝕削弱件的邊緣與所述壓環(huán)的邊緣對齊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓環(huán)組件，其特征在于，所述刻蝕削弱件和所述壓環(huán)一體形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓環(huán)組件，其特征在于，所述刻蝕削弱件的厚度滿足下述關(guān)系式：

Kt＝(Ht-10)；

其中，所述Kt為所述刻蝕削弱件的厚度，所述Ht為所述壓環(huán)的下表面至所述刻蝕削弱件的上表面的距離。

5.根據(jù)權(quán)利要求4任所述的壓環(huán)組件，其特征在于，100mm≤Ht≤200mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項所述的壓環(huán)組件，其特征在于，所述刻蝕削弱件采用含有碳元素的材料制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓環(huán)組件，其特征在于，所述刻蝕削弱件采用石墨或碳化硅材料制成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項所述的壓環(huán)組件，其特征在于，所述壓環(huán)采用陶瓷材料制成。

9.一種反應(yīng)腔室，包括承載臺和壓環(huán)組件，所述承載臺位于所述反應(yīng)腔室內(nèi)，用于承載晶片，其特征在于，所述壓環(huán)組件包括權(quán)利要求1至8任意一項所述的壓環(huán)組件，所述壓環(huán)的下表面與晶片上表面的邊緣接觸，以將所述晶片固定在所述承載臺上。

10.一種反應(yīng)腔室，包括承載臺、托盤和壓環(huán)組件，所述承載臺位于所述反應(yīng)腔室內(nèi)，用于承載托盤，所述托盤用于承載多個晶片，其特征在于，所述壓環(huán)組件包括權(quán)利要求1至8任意一項所述的壓環(huán)組件，所述壓環(huán)的下表面與所述托盤上表面的邊緣接觸，以將所述托盤固定在所述承載臺上。