[發明專利]經邊緣放置誤差預測的光致抗蝕劑設計布局圖案鄰近校正

有效

• 申請號: 201710475240.0
• 申請日: 2017-06-21
• 公開（公告）號: CN107526864B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 薩拉瓦納普里亞·西里拉曼;理查德·懷斯;哈梅特·辛格;亞歷克斯·帕特森;安德魯·D·貝利三世;瓦希德·瓦赫迪;理查德·A·戈奇奧
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392;G06F115/06
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;邱曉敏

1.一種為待在蝕刻操作中使用的光致抗蝕劑產生鄰近校正設計布局的方法，所述方法包括：

(a)接收初始設計布局；

(b)識別所述初始設計布局中的特征，所述特征的圖案對應于將通過基于等離子體的蝕刻工藝蝕刻到在半導體襯底的表面上的材料堆疊中的特征，當所述材料堆疊用與所述初始設計布局相對應的光致抗蝕劑圖案層覆蓋時，該基于等離子體的蝕刻工藝在成組的工藝條件下在處理室內執行；

(c)估計在這樣的基于等離子體的蝕刻工藝期間在時間t時在所述特征內的特征內等離子體通量的一個或多個數量特性；

(d)通過將(c)中所估計的所述特征內等離子體通量的所述一個或多個數量特性與查找表中的那些進行比較來估計所述特征的邊緣的在時間t時的邊緣放置誤差的數量特性，所述查找表將在時間t時的邊緣放置誤差的所述數量特性的值與所述特征內等離子體通量的所述一個或多個數量特性的值相關聯；以及(e)根據邊緣放置誤差的所述數量特性修正所述初始設計布局；

其中所述查找表是在所述成組的工藝條件下通過對覆蓋在所述材料堆疊上的光致抗蝕劑的校準圖案運行計算機化的蝕刻輪廓模型至少至時間t來構建的。

2.根據權利要求1所述的方法，其還包括：

-對于圖案是在所述初始設計布局內的一個或多個附加特征，重復(b)到(d)；并且

其中在(e)中修正所述初始設計布局進一步基于所述一個或多個附加特征的邊緣放置誤差的所估計的所述數量特性。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中在(c)中所述特征內等離子體通量的所述一個或多個數量特性包括：

特征內等離子體離子通量的數量特性；和

特征內等離子體中性物通量的數量特性。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述特征內等離子體中性物通量的數量特性是在所述特征之上的所加載的考慮了所述襯底存在于所述處理室中的等離子體通量。

5.根據權利要求4所述的方法，其中在(c)中基于所述處理室中的遠場全局等離子體通量的一個或多個數量特性來估計所述所加載的等離子體通量。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述遠場全局等離子體通量的一個或多個數量特性是用計算機化的等離子體模型來計算的，該等離子體模型考慮了處理室的條件，但不考慮所述襯底存在于所述處理室內。

7.根據權利要求3所述的方法，其中，在(c)中基于與所述特征相對應的可見度核來估計所述特征內等離子體離子通量的數量特性。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述特征內等離子體離子通量的所述數量特性通過包含以下步驟的過程來計算：使用與所述特征上的一個或多個等離子體離子通量相對應的離子能量角分布函數來估計所述可見度核的積分。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述離子能量角分布函數是基于所述處理室中的遠場全局等離子體通量的一個或多個數量特性來估計的，所述遠場全局等離子體通量是用考慮了處理室條件的計算機等離子體模型來計算的。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，在(c)中，通過假設所述特征具有對應于光致抗蝕劑的所述初始設計布局的開口并且具有從所述開口的邊緣向下延伸的基本上豎直的側壁來估計所述可見度核。

11.根據權利要求10所述的方法，其還包括：

(c')基于在(d)中估計的所述邊緣放置誤差重新估計所述特征的所述可見度核；

(d')通過將(c')中重新估計的所述可見度核的值與所述查找表中的那些進行比較，重新估計在時間t的所述邊緣放置誤差的數量特性；以及

其中在(e)中進一步基于來自(d')的在時間t的所述邊緣放置誤差的數量特性的所重新估計的值來修正所述初始設計布局。