[發(fā)明專利]基板處理裝置、基板處理裝置的清洗方法和存儲(chǔ)介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710471653.1
• 申請(qǐng)日: 2017-06-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107527839B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 緒方信博;伊藤規(guī)宏;東島治郎;橋本佑介;相浦一博
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會(huì)華

1.一種基板處理裝置，其具備：

基板保持部，其水平地保持基板；

處理液噴嘴，其向由所述基板保持部保持著的所述基板供給處理液；

液體承接杯，其設(shè)于所述基板保持部的周圍，并且具有承接從所述基板飛散的所述處理液的第1杯體和第2杯體，其中，所述第1杯體具有第1筒狀部和從所述第1筒狀部的上端部沿著半徑方向朝內(nèi)延伸的第1突出部，所述第2杯體具有第2筒狀部和從所述第2筒狀部的上端部沿著半徑方向朝內(nèi)延伸的第2突出部，所述第1筒狀部位于所述第2筒狀部的半徑方向外側(cè)，所述第1突出部位于所述第2突出部的上方，所述第2突出部的上表面以隨著向半徑方向內(nèi)側(cè)去而變高的方式傾斜；

升降機(jī)構(gòu)，其使所述第1杯體和所述第2杯體中的至少一者沿著鉛垂方向移動(dòng)，以便能夠采取所述第1突出部和所述第2突出部分開(kāi)的第1狀態(tài)以及所述第1突出部和所述第2突出部比所述第1狀態(tài)接近的第2狀態(tài)，

在處于所述第2狀態(tài)時(shí)，在所述第1突出部的下表面與所述第2突出部的上表面之間形成有第1間隙，并且，在所述第1突出部的下表面的位于比所述第1間隙靠半徑方向內(nèi)側(cè)的部分與所述第2突出部的上表面之間形成有第2間隙，所述第1間隙比所述第2間隙窄，

該基板處理裝置具備向所述第2間隙供給清洗液的清洗液噴嘴。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，

在所述第1突出部的下表面的與所述第1間隙相對(duì)應(yīng)的部分形成有將從所述清洗液噴嘴供給來(lái)的清洗液向所述第2間隙引導(dǎo)的沿著半徑方向延伸的徑向槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其中，

所述清洗液噴嘴在與所述徑向槽相對(duì)的位置設(shè)于所述第2突出部。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的基板處理裝置，其中，

在所述第1突出部的下表面的與所述第1間隙相對(duì)應(yīng)的部分形成有與所述徑向槽交叉并沿著圓周方向延伸的圓周槽。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其中，

在處于所述第2狀態(tài)時(shí)，所述第1突出部的半徑方向內(nèi)側(cè)端部與所述第2突出部的半徑方向內(nèi)側(cè)端部接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其中，

在所述第1突出部的下表面設(shè)置有向下方凸起的圓環(huán)形狀的間隙形成部，由此，所述第1間隙比所述第2間隙窄，所述徑向槽和所述圓周槽形成于所述間隙形成部。

7.一種基板處理裝置的清洗方法，其對(duì)基板處理裝置進(jìn)行清洗，該基板處理裝置具備：

基板保持部，其水平地保持基板；

處理液噴嘴，其向由所述基板保持部保持著的所述基板供給處理液；

液體承接杯，其設(shè)于所述基板保持部的周圍，并且，具有承接從所述基板飛散的所述處理液的第1杯體和第2杯體，其中，所述第1杯體具有第1筒狀部和從所述第1筒狀部的上端部沿著半徑方向朝內(nèi)延伸的第1突出部，所述第2杯體具有第2筒狀部和從所述第2筒狀部的上端部沿著半徑方向朝內(nèi)延伸的第2突出部，所述第1筒狀部位于所述第2筒狀部的半徑方向外側(cè)，所述第1突出部位于所述第2突出部的上方，所述第2突出部的上表面以隨著向半徑方向內(nèi)側(cè)去而變高的方式傾斜；

升降機(jī)構(gòu)，其使所述第1杯體和所述第2杯體中的至少一者沿著鉛垂方向移動(dòng)，以便能夠采取所述第1突出部和所述第2突出部分開(kāi)的第1狀態(tài)以及所述第1突出部和所述第2突出部比所述第1狀態(tài)接近的第2狀態(tài)，

在處于所述第2狀態(tài)時(shí)，在所述第1突出部的下表面與所述第2突出部的上表面之間形成有第1間隙，并且，在所述第1突出部的下表面的比所述第1間隙靠半徑方向內(nèi)側(cè)的部分與所述第2突出部的上表面之間形成有第2間隙，所述第1間隙比所述第2間隙窄，

該基板處理裝置具備向所述第2間隙供給清洗液的清洗液噴嘴，其中，該基板處理裝置的清洗方法具備如下工序：

通過(guò)使所述第1杯體和所述第2杯體中的至少一者沿著鉛垂方向移動(dòng)來(lái)確定所述第2狀態(tài)的工序；

從所述清洗液噴嘴向所述第2間隙供給清洗液的工序。