[發(fā)明專利]復(fù)合母排及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710469015.6
• 申請(qǐng)日: 2017-06-20
• 公開（公告）號(hào): CN109102921B
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭樂;王亮;張強(qiáng);張章;李曉敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司
• 主分類號(hào): H01B5/02
• 分類號(hào): H01B5/02;H01B13/00
• 代理公司: 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;王浩

本發(fā)明公開了一種復(fù)合母排及其制作方法，特別是適用于承載大電流的導(dǎo)電件與復(fù)合母排焊接，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的主電路寄生電感大以及復(fù)合母排能承擔(dān)的焊接功率小的技術(shù)問題。本發(fā)明提供的復(fù)合母排，包括導(dǎo)電層和絕緣層，通過在導(dǎo)電層上設(shè)置焊盤，使導(dǎo)電層與母線之間通過焊接實(shí)現(xiàn)電氣連接，使其連接更可靠，能夠降低主電路寄生電感，此外，還可縮小功率模塊組件尺寸，有利于模塊的集成化和輕量化；其中，焊盤上的槽口與母線上的焊接部形成間隙配合，使母線與焊盤插合方便，并且有利于焊接。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種復(fù)合母排及其制作方法，特別是適用于承載大電流的導(dǎo)電件與復(fù)合母排焊接。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的功率模塊中，絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate BipolarTransistor，IGBT)模塊或電容與復(fù)合母排之間的連接通常采用螺釘、螺栓組件進(jìn)行緊固連接以實(shí)現(xiàn)電氣連接，但其主要缺點(diǎn)在于主電路寄生電感大，占用空間大，不利于模塊集成化、輕量化。在特定的場(chǎng)合，復(fù)合母排也與一些小功率器件焊接在一起(如吸收電容)，現(xiàn)有的解決方案是通過焊盤與周圍銅導(dǎo)體件設(shè)計(jì)間隙，如圖1中的A1(端子)、B1(端子)、A2(端子)和B2(端子)所示，為了防止焊接點(diǎn)處熱量的快速散失，只通過直條形引腳將焊盤與銅排連接起來，來保證焊盤達(dá)到焊接熔點(diǎn)要求，并且避免熱量傳遞導(dǎo)致復(fù)合母排絕緣失效。該種方式復(fù)合母排能承擔(dān)的焊接功率小，焊接后每個(gè)端子工作電流僅能滿足10A左右，一般適用于吸收電容、電阻等小功率器件焊接。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種復(fù)合母排及其制作方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的主電路寄生電感大以及復(fù)合母排只能承擔(dān)小功率焊接的技術(shù)問題。

本發(fā)明提供一種復(fù)合母排，包括導(dǎo)電層和絕緣層，所述導(dǎo)電層上設(shè)置有用于與母線的焊接部進(jìn)行焊接的焊盤；

所述焊盤包括用于使所述焊接部插入的槽口，所述槽口沿所述導(dǎo)電層的厚度方向貫穿所述導(dǎo)電層，所述槽口的數(shù)量至少為一組。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述槽口與所述焊接部之間設(shè)置有焊接間隙。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述焊盤還包括與所述槽口同心設(shè)置的沉槽，所述沉槽的開槽方向與所述槽口的開槽方向相同，所述沉槽的深度為0.2-0.5mm。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述沉槽位于所述導(dǎo)電層上被所述焊接部伸出的端面上。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電層為兩層或兩層以上的層間結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電層至少包括第一電極層和第二電極層，所述絕緣層設(shè)置于所述第一電極層和所述第二電極層之間。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第一電極層或所述第二電極層上設(shè)置有凹陷部，所述凹陷部的底面與所述第二電極層或所述第一電極層的底面位于同一水平面內(nèi)，所述沉槽和所述槽口均位于所述凹陷部上。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述焊盤還包括與所述沉槽同心設(shè)置的連接部，所述連接部沿所述導(dǎo)電層的厚度方向凸起，所述槽口貫穿所述連接部。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述焊盤還包括折彎部，所述折彎部位于所述導(dǎo)電層的開口部處且沿所述導(dǎo)電層的厚度方向凸起，所述槽口貫穿所述折彎部。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述絕緣層由氮化鋁、芳綸紙、聚酰亞胺薄膜、GPO-3、SMC、FR4或半固化片制成。

本發(fā)明還提供一種上述的復(fù)合母排的制造方法，包括以下步驟：

S10：對(duì)導(dǎo)體進(jìn)行加工和粗化處理，獲得所述導(dǎo)電層；

S20：對(duì)絕緣材料進(jìn)行加工，獲得所述絕緣層；

S30：對(duì)述導(dǎo)電層和所述絕緣層進(jìn)行疊裝和熱壓處理；獲得復(fù)合構(gòu)件；

S40：對(duì)所述復(fù)合母構(gòu)件進(jìn)行電鍍處理，獲得所述復(fù)合母排。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：