[發明專利]一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201710449807.7 | 申請日: | 2017-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN107331647B | 公開(公告)日: | 2019-07-23 |
| 發明(設計)人: | 宮奎;段獻學 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;劉偉 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板的制作方法,其特征在于,包括:
形成像素界定層過渡圖形,所述像素界定層過渡圖形的側表面形成底切;
在形成有所述像素界定層過渡圖形的襯底基板上形成公共層,所述公共層在所述像素界定層過渡圖形的側表面斷裂;
去除所述底切,得到像素界定層的圖形;
形成陰極。
2.根據權利要求1所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述形成像素界定層過渡圖形包括:
形成第一感光材料層;
對所述第一感光材料層進行曝光,使得所述第一感光材料層表面的一部分感光材料被充分曝光,形成充分曝光膜層;
在曝光后的第一感光材料層上形成第二感光材料層;
以制作像素界定層的圖形的掩模板為遮擋對所述第一感光材料層和所述第二感光材料層進行曝光,使得所述第一感光材料層和所述第二感光材料層未被所述掩模板的遮光圖形遮擋的部分充分曝光;
對曝光后的第一感光材料層和第二感光材料層進行顯影,形成所述像素界定層過渡圖形,所述像素界定層過渡圖形包括第一堤部、位于第一堤部上的第二堤部和位于第二堤部上的第三堤部,所述第二堤部的頂面在襯底基板上的正投影完全落入所述第三堤部的底面在襯底基板上的正投影內,且所述第二堤部的頂面在襯底基板上的正投影的邊緣與所述第三堤部的底面在襯底基板上的正投影的邊緣間隔一定距離。
3.根據權利要求2所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述去除所述底切,得到像素界定層的圖形包括:
對所述像素界定層過渡圖形進行加熱,使得部分所述像素界定層過渡圖形融化將所述第一堤部、所述第二堤部和所述第三堤部的側表面連成一平緩的坡面,得到像素界定層的圖形。
4.根據權利要求2所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述第一感光材料層的厚度為D,所述充分曝光膜層的厚度d為1/10 D~1/5 D。
5.根據權利要求4所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述第二感光材料層的厚度d1為1/5 D~1/3 D,且d1大于d。
6.根據權利要求1所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述形成像素界定層過渡圖形包括:
形成第一感光材料層;
對所述第一感光材料層進行曝光,使得全部所述第一感光材料層被充分曝光;
在曝光后的第一感光材料層上形成第二感光材料層;
以制作像素界定層的圖形的掩模板為遮擋對所述第一感光材料層和所述第二感光材料層進行曝光,使得所述第一感光材料層和所述第二感光材料層未被所述掩模板的遮光圖形遮擋的部分充分曝光;
對曝光后的第一感光材料層和第二感光材料層進行顯影,形成所述像素界定層過渡圖形,所述像素界定層過渡圖形包括第二堤部和位于第二堤部上的第三堤部,所述第二堤部的頂面在襯底基板上的正投影完全落入所述第三堤部的底面在襯底基板上的正投影內,且所述第二堤部的頂面在襯底基板上的正投影的邊緣與所述第三堤部的底面在襯底基板上的正投影的邊緣間隔一定距離。
7.根據權利要求6所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述去除所述底切,得到像素界定層的圖形包括:
對所述像素界定層過渡圖形進行加熱,使得部分所述像素界定層過渡圖形融化將所述第二堤部和所述第三堤部的側表面連成一平緩的坡面,得到像素界定層的圖形。
8.根據權利要求3或7所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述對所述像素界定層過渡圖形進行加熱包括:
在80℃至100℃的溫度下對所述像素界定層過渡圖形進行12至48小時的加熱。
9.根據權利要求1所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,形成所述公共層包括:
在形成有所述像素界定層過渡圖形的襯底基板上制備整層的公共層,所述公共層在所述像素界定層過渡圖形的側表面上發生斷裂,一部分落入所述像素界定層過渡圖形限定出的像素區域內,另一部分位于所述像素界定層過渡圖形的頂表面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





