[發明專利]一種用于大功率VCSEL芯片的散熱基板有效
| 申請號: | 201710442818.2 | 申請日: | 2017-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN107134713B | 公開(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發明(設計)人: | 林濤;張天杰 | 申請(專利權)人: | 西安理工大學 |
| 主分類號: | H01S5/042 | 分類號: | H01S5/042;H01S5/024 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人: | 王珂瑜 |
| 地址: | 710048*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 大功率 vcsel 芯片 散熱 | ||
1.一種用于大功率VCSEL芯片的散熱基板,其特征在于,包括用來安裝VCSEL芯片本體(6)的電極A(3)和電極B(5),所述的VCSEL芯片本體(6)安裝在電極A(3)上,在所述的芯片本體(6)的四邊均可以引線,所述的VCSEL芯片本體(6)上的芯片引線節點通過電流引線(1)與電極B(5)的表面連接;
所述的電極A的前端為固定芯片區域,該芯片固定區域的前端為V型區域,且V型區域相鄰的兩邊的夾角為θ,且,30°≤θ≤150°。
2.根據權利要求1所述的用于大功率VCSEL芯片的散熱基板,其特征在于,所述的電極A(3)和電極B(5)均位于散熱基板材料層(4)上面,且電極A和電極B相鄰設置但是并不接觸,在陰極和陽極之間有溝槽(7)。
3.根據權利要求1所述的用于大功率VCSEL芯片的散熱基板結構,其特征在于,所述的電極A(3)和電極B(5)位置呈鑲嵌狀設置。
4.根據權利要求1所述的用于大功率VCSEL芯片的散熱基板,其特征在于,所述的電極B與電極A的V型區域對應設置有一個凹型的V型部分,該凹型的V型區域的兩邊之間的夾角為θ,且,30°≤θ≤150°。
5.根據權利要求1所述的用于大功率VCSEL芯片的散熱基板,其特征在于,所述的芯片本體(6)通過焊料被壓結在電極A表面。
6.根據權利要求1所述的用于大功率VCSEL芯片的散熱基板,其特征在于,所述的芯片本體(6)的中間為出光區域(8)。
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