[發明專利]檢波電路有效
| 申請號: | 201710442166.2 | 申請日: | 2017-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN107623499B | 公開(公告)日: | 2020-12-11 |
| 發明(設計)人: | 杉本泰崇;廣岡博之 | 申請(專利權)人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H03F3/21 | 分類號: | H03F3/21 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 干欣穎 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢波 電路 | ||
本發明的檢波電路使檢波電路的線性度得以提高。其包括:第1晶體管,該第1晶體管的基極輸入有交流信號,并從集電極輸出與交流信號相對應的第1檢波信號;第2晶體管,該第2晶體管的基極輸入有第1檢波信號,并從集電極輸出與第1檢波信號相對應的第2檢波信號;以及交流信號路徑,該交流信號路徑向第2晶體管的基極提供交流信號。
技術領域
本發明涉及檢波電路。
背景技術
作為在發送無線信號時對無線信號的功率進行放大的電路,廣泛使用了功率放大器。此外,為了對從功率放大器輸出的無線信號的輸出功率進行檢波,多使用檢波電路。
例如,專利文獻1中公開有具備2個晶體管的檢波電路。具體而言,專利文獻1的圖1中所公開的檢波電路包括晶體管Tr1以及晶體管Tr2。晶體管Tr1的集電極電壓根據RF輸入功率而變化,晶體管Tr2的集電極電壓(檢波電壓)根據晶體管Tr1的集電極電壓的變化而變化。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2008-148214號公報
發明內容
發明所要解決的技術問題
然而,流過晶體管的電流相對于提供至基極的電壓呈指數函數變化。因此,在專利文獻1所公開的檢波電路中,檢波電壓相對于RF輸入功率通常也呈指數函數變化。檢波電路中,優選檢波電壓相對于RF輸入功率的變化呈線性。
本發明是鑒于上述情況而完成的,其目的在于提高檢波電路的線性度。
用于解決技術問題的技術手段
本發明一個方面所涉及的檢波電路包括:第1晶體管,該第1晶體管的基極輸入有交流信號,并從集電極輸出與交流信號相對應的第1檢波信號;第2晶體管,該第2晶體管的基極輸入有第1檢波信號,并從集電極輸出與第1檢波信號相對應的第2檢波信號;以及交流信號路徑,該交流信號路徑向第2晶體管的基極提供交流信號。
發明效果
根據本發明,能提高檢波電路的線性度。
附圖說明
圖1是示出包含本發明的一個實施方式的檢波電路的功率放大模塊的結構的圖。
圖2是示出檢波電路120的構成的一個示例的圖。
圖3是示出用于與檢波電路120A進行比較的檢波電路300的結構的圖。
圖4A是示出檢波電壓Vdet相對于放大信號RFout的變化的模擬結果。
圖4B是示出檢波電壓Vdet相對于放大信號RFout的靈敏度的模擬結果的圖。
圖5是示出檢波電路120的結構的另一示例的圖。
圖6是示出檢波電路120的結構的另一示例的圖。
圖7是示出檢波電路120的結構的另一示例的圖。
圖8是示出檢波電路120的結構的另一示例的圖。
圖9A是示出檢波電壓Vdet相對于放大信號RFout的變化的模擬結果的圖。
圖9B是示出檢波電壓Vdet相對于放大信號RFout的靈敏度的模擬結果的圖。
圖10是示出檢波電路120的結構的另一示例的圖。
具體實施方式
以下,參照附圖對本發明的一個實施方式進行說明。圖1是示出包含本發明的一個實施方式的檢波電路的功率放大模塊的結構的圖。功率放大模塊100包括功率放大器110a、110b、110c、以及檢波電路120。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社村田制作所,未經株式會社村田制作所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710442166.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種雙頻單相PWM整流器
- 下一篇:基于憶阻器的帶通濾波電路





