[發(fā)明專利]基區(qū)Ge組分分段分布的SiGe/Si異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測(cè)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710436742.2
• 申請(qǐng)日: 2017-06-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107302037B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝紅云;吳佳輝;劉芮;孫丹;馬佩;高杰;張萬(wàn)榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/109
• 分類號(hào): H01L31/109;H01L31/0264;H01L31/0288
• 代理公司: 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203
• 代理人: 劉萍

1.基區(qū)Ge組分分段分布的SiGe/Si異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測(cè)器，其特征在于包括：

Si襯底；在Si襯底上依次制備出的Si亞集電區(qū)、Si集電區(qū)、SiGe基區(qū)/吸收層、多晶Si發(fā)射區(qū)；探測(cè)器的光窗口位于SiGe基區(qū)/吸收層；SiGe基區(qū)/吸收層的Ge組分分段分布，從發(fā)射結(jié)異質(zhì)結(jié)到集電結(jié)異質(zhì)結(jié)依次分為四段，其第一段的厚度介于0.02μm到0.05μm之間，Ge組分介于0到20％之間，其第二段的厚度介于0.03μm到0.06μm之間，Ge組分介于20％到50％之間，其第三段的厚度介于0.06μm到0.09μm之間，Ge組分介于50％到80％之間，其第四段的Ge組分線性減少到0，厚度介于0.02μm到0.03μm之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基區(qū)Ge組分分段分布的SiGe/Si異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測(cè)器，其特征在于：SiGe基區(qū)/吸收層的Ge組分分段分布中第一段、第二段和其第三段，Ge組分的分布是均勻或漸變或均勻與漸變相組合的形式。