[發(fā)明專利]面向物聯(lián)網(wǎng)硅基SIW帶金屬柱固支梁可重構(gòu)帶通濾波器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710431163.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107196025B | 公開(公告)日: | 2019-12-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 廖小平;陳子龍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東南大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01P1/203 | 分類號(hào): | H01P1/203 |
| 代理公司: | 32204 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 210033 江蘇省南京*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 面向 聯(lián)網(wǎng) siw 金屬 柱固支梁可重構(gòu) 帶通濾波器 | ||
1.一種面向物聯(lián)網(wǎng)的硅基SIW帶金屬柱固支梁可重構(gòu)帶通濾波器,其特征在于:包括SIW帶通濾波器和MEMS固支梁結(jié)構(gòu);
所述SIW帶通濾波器包括SIW結(jié)構(gòu),SIW結(jié)構(gòu)包括作為介質(zhì)的硅襯底(1),硅襯底(1)的上表面和下表面均電鍍有金屬層(5),所述硅襯底(1)和金屬層(5)中穿設(shè)有金屬通孔一(2),且相鄰金屬通孔一(2)中心軸之間的距離小于兩倍的金屬通孔一(2)直徑的長(zhǎng)度,位于硅襯底(1)上表面和下表面的金屬層(5)相互對(duì)稱平行,且硅襯底(1)上表面的金屬層(5)上設(shè)有氮化硅層(10);所述SIW結(jié)構(gòu)通過(guò)金屬通孔二(13)分割成若干個(gè)SIW諧振腔(9),金屬通孔二(13)處于兩排對(duì)稱平行的金屬通孔一(2)之間,且金屬通孔一(2)與金屬通孔二(13)結(jié)構(gòu)相同;
所述MEMS固支梁結(jié)構(gòu)設(shè)置于SIW諧振腔(9)的氮化硅層(10)上,MEMS固支梁結(jié)構(gòu)包括MEMS固支梁(6),MEMS固支梁(6)兩端均設(shè)有錨區(qū)(7),MEMS固支梁(6)通過(guò)錨區(qū)(7)架設(shè)在硅襯底(1)的氮化硅層(10)上,且錨區(qū)(7)與氮化硅層(10)固定連接;MEMS固支梁(6)的下表面上設(shè)置有直徑為200μm、長(zhǎng)度為24μm金屬柱(11),且所述硅襯底(1)對(duì)應(yīng)金屬柱(11)的位置開設(shè)有直徑為202μm、深度為24μm的孔(14),且孔(14)穿過(guò)硅襯底(1)上的氮化硅層(10)和上表面金屬層(5)進(jìn)入硅襯底(1)中,所述金屬柱(11)伸入孔(14)中;MEMS固支梁(6)下側(cè)的氮化硅層(10)上設(shè)有下拉電極(8),且下拉電極(8)上包裹有二氧化硅層(15);
硅基SIW帶金屬柱固支梁可重構(gòu)帶通濾波器中MEMS固支梁(6)依靠錨區(qū)(7)的支持懸浮在硅襯底(1)之上,金屬柱(11)可以隨著MEMS固支梁(6)上下移動(dòng),當(dāng)下拉電極(8)上沒有電壓存在時(shí),MEMS固支梁(6)不能被下拉,SIW帶通濾波器保持原有的通帶特性;當(dāng)下拉電極(8)上有電壓存在MEMS固支梁(6)被下拉時(shí),金屬柱(11)能夠伸入孔(14)中,能夠改變金屬柱(11)與SIW諧振腔(9)的下表面金屬層(5)之間形成的電容的大小,電容大小的改變會(huì)改變SIW諧振腔(9)的諧振頻率,進(jìn)而改變SIW帶通濾波器的通帶范圍,實(shí)現(xiàn)SIW帶通濾波器的可重構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的面向物聯(lián)網(wǎng)的硅基SIW帶金屬柱固支梁可重構(gòu)帶通濾波器,其特征在于:還包括轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)(3),轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)(3)為加載在微帶線(4)與SIW帶通濾波器之間的轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)(3)一端與微帶線(4)連接,轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)(3)另一端與SIW帶通濾波器連接,轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)(3)與微帶線(4)連接的端口與微帶線(4)寬度相等,轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)(3)與SIW帶通濾波器連接的端口的寬度采用的是與SIW帶通濾波器特征阻抗值相同的微帶線的寬度。
3.如權(quán)利要求2所述的面向物聯(lián)網(wǎng)的硅基SIW帶金屬柱固支梁可重構(gòu)帶通濾波器,其特征在于:所述轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)(3)長(zhǎng)度為SIW帶通濾波器中心頻率處的波長(zhǎng)的四分之一。
4.如權(quán)利要求2所述的面向物聯(lián)網(wǎng)的硅基SIW帶金屬柱固支梁可重構(gòu)帶通濾波器,其特征在于:所述微帶線(4)的特征阻抗為50歐姆。
5.如權(quán)利要求1所述的面向物聯(lián)網(wǎng)的硅基SIW帶金屬柱固支梁可重構(gòu)帶通濾波器,其特征在于:所述錨區(qū)(7)是用多晶硅制作的。
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