[發明專利]一種能避免超薄芯片碎裂的吸取方法在審
| 申請號: | 201710426492.4 | 申請日: | 2017-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN107369642A | 公開(公告)日: | 2017-11-21 |
| 發明(設計)人: | 周木火 | 申請(專利權)人: | 太極半導體(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙)32246 | 代理人: | 朱斌兵 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市工*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 避免 超薄 芯片 碎裂 吸取 方法 | ||
技術領域
本發明屬于半導體芯片封裝領域,尤其涉及一種能避免超薄芯片碎裂的吸取方法。
背景技術
在半導體芯片封裝過程中,需要將裸芯片從粘膜上拾取后放置到基材上,以便完成后續的芯片整體封裝。目前芯片拾取方式使用頂針式頂針座和普通橡膠吸嘴,但是在長時間的使用后發現,使用頂針和普通吸嘴作業超薄芯片時存在以下的不足:(1)由于頂針是組合式排列,頂針平面會有不平,導致部分點突出,造成芯片局部受力;(2)頂針排列由于設計缺陷,頂針在排列時頂針之間有一定的間隙,不能提供芯片完全的支撐;(3)頂針作業時芯片和粘膜緊密結合,不容易脫離;(4)普通橡膠吸嘴只在中間有真空凹槽,吸取超薄芯片時造成芯片的變形,從而沒有一種能夠避免超薄芯片在拾取時碎裂的方法,給實際的生產帶來了諸多不便。
發明內容
本發明目的是為了克服現有技術的不足而提供一種超薄芯片在拾取時不會碎裂的能避免超薄芯片碎裂的吸取方法。
為達到上述目的,本發明采用的技術方案是:一種能避免超薄芯片碎裂的吸取方法,包括如下步驟:
第一步:將帶有粘膜的芯片放置到吸取平臺上,利用吸取平臺上的真空孔將粘膜下端吸附,同時芯片上端利用平面吸嘴吸附;
第二步:三段式頂針平臺內的升降桿開啟,通過上底座帶動第一頂針平臺、第二頂針平臺和第三頂針平臺同時往上移動,第一頂針平臺將芯片頂起,使得位于第一頂針平臺四周的粘膜和芯片進行分離;
第三步:三段式頂針平臺內的第一頂桿往上移動,第一頂桿驅動第二頂針平臺和第三頂針平臺同時往上移動,第二頂針平臺將芯片頂起,使得位于第二頂針平臺四周的粘膜和芯片進行分離;
第四步:三段式頂針平臺內的第二頂桿往上移動,第二頂桿驅動第三頂針平臺往上移動,第三頂針平臺將芯片頂起,使得位于第三頂針平臺上方的粘膜和芯片分離;
第五步:利用平面吸嘴將芯片從粘膜上拾取并放置到支架上。由于上述技術方案的運用,本發明與現有技術相比具有下列優點:
本發明方案使用三段式平臺頂針座及平面吸嘴相配合對超薄芯片進行吸取,多段式平臺頂針分三段將粘膜上的芯片頂起,在分段將芯片頂起的過程中,使芯片和粘膜逐漸脫離,可有效減少粘膜對芯片的粘性,并且頂針平臺可提供有效的平面支撐,同時,吸嘴下表面呈平面狀,避免芯片局部受力或受力不均造成芯片碎裂。
附圖說明
附圖1為本發明在芯片拾取時的流程結構示意圖;
附圖2為本發明的結構示意圖;
附圖3為吸嘴的平面結構示意圖;
附圖4為三段式頂針平臺的俯視圖;
附圖5為略去第一頂針平臺、第二頂針平臺和第三頂針平臺后三段式頂針平臺的結構示意圖;
其中:1、吸嘴組件;2、三段式頂針平臺;10、吸嘴固定座;11、吸嘴;12、吸附孔;20、吸取平臺;21、下底座;22、上底座;23、升降桿;24、固定桿;25、第一頂針平臺;26、第二頂桿;27、第二頂針平臺;28、第三頂桿;29、固定板;30、第三頂針平臺;200、真空孔;212、彈簧。
具體實施方式
下面結合附圖及具體實施例對本發明作進一步的詳細說明。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





