[發(fā)明專利]一種能避免超薄芯片碎裂的吸取方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710426492.4 | 申請(qǐng)日： | 2017-06-08 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107369642A | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-11-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周木火 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 太極半導(dǎo)體（蘇州）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/683 | 分類號(hào)： | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 蘇州銘浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)32246 | 代理人： | 朱斌兵 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 避免 超薄 芯片 碎裂 吸取 方法 | ||
1.一種能避免超薄芯片碎裂的吸取方法，其特征在于：包括如下步驟：
第一步：將帶有粘膜的芯片放置到吸取平臺(tái)上，利用吸取平臺(tái)上的真空孔將粘膜下端吸附，同時(shí)芯片上端利用平面吸嘴吸附；
第二步：三段式頂針平臺(tái)內(nèi)的升降桿開(kāi)啟，通過(guò)上底座帶動(dòng)第一頂針平臺(tái)、第二頂針平臺(tái)和第三頂針平臺(tái)同時(shí)往上移動(dòng)，第一頂針平臺(tái)將芯片頂起，使得位于第一頂針平臺(tái)四周的粘膜和芯片進(jìn)行分離；
第三步：三段式頂針平臺(tái)內(nèi)的第一頂桿往上移動(dòng)，第一頂桿驅(qū)動(dòng)第二頂針平臺(tái)和第三頂針平臺(tái)同時(shí)往上移動(dòng)，第二頂針平臺(tái)將芯片頂起，使得位于第二頂針平臺(tái)四周的粘膜和芯片進(jìn)行分離；
第四步：三段式頂針平臺(tái)內(nèi)的第二頂桿往上移動(dòng)，第二頂桿驅(qū)動(dòng)第三頂針平臺(tái)往上移動(dòng)，第三頂針平臺(tái)將芯片頂起，使得位于第三頂針平臺(tái)上方的粘膜和芯片分離；
第五步：利用平面吸嘴將芯片從粘膜上拾取并放置到支架上。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
