[發(fā)明專利]自我預(yù)充電的內(nèi)存電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710422221.1
• 申請(qǐng)日: 2017-06-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107481757B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: I·阿爾索夫斯基;李晴;趙薇;胡曉莉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 馬維爾亞洲私人有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/24
• 分類號(hào): G11C16/24;G11C16/30
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽(yáng)

1.一種內(nèi)存，其包含自我參考感測(cè)放大器，其經(jīng)結(jié)構(gòu)化成利用自主預(yù)充電啟動(dòng)電路系統(tǒng)以基于跳脫點(diǎn)而校準(zhǔn)其個(gè)別預(yù)充電，該自主預(yù)充電啟動(dòng)電路系統(tǒng)只要已進(jìn)行或完成感測(cè)，便開(kāi)始預(yù)充電各個(gè)唯一單元上的感測(cè)線。

2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存，還包含全局信號(hào)，一旦所有單元都已完成感測(cè)運(yùn)作便加強(qiáng)該預(yù)充電。

3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存，其中，該自主預(yù)充電啟動(dòng)電路系統(tǒng)在內(nèi)存陣列中其它內(nèi)存的其它單元完成其感測(cè)前，先對(duì)于下一個(gè)讀取周期預(yù)充電該感測(cè)線。

4.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存，其中，該自主預(yù)充電啟動(dòng)電路系統(tǒng)包含與第二晶體管串聯(lián)的第一晶體管、以及偵測(cè)各個(gè)個(gè)別內(nèi)存單元上的信號(hào)發(fā)展并且控制預(yù)充電持續(xù)時(shí)間與感測(cè)持續(xù)時(shí)間而無(wú)需用到全局預(yù)充電信號(hào)的反相器。

5.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存，其中，該感測(cè)線預(yù)充電的開(kāi)始階段是通過(guò)感測(cè)輸出來(lái)觸發(fā)，并且獨(dú)立于全局預(yù)充電信號(hào)。

6.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存，其中，該自主預(yù)充電啟動(dòng)電路系統(tǒng)包含：

反相器，其輸入為該感測(cè)線且其輸出連接至NFET的柵極；

該NFET將該感測(cè)線耦合至反相版的感測(cè)節(jié)點(diǎn)；

預(yù)充電PFET是耦合至該感測(cè)節(jié)點(diǎn)且其柵極連接至鎖存器的感測(cè)回授信號(hào)；

該鎖存器將該感測(cè)節(jié)點(diǎn)耦合至該感測(cè)輸出；以及

第二預(yù)充電PFET與該預(yù)充電PFET并聯(lián)連接。

7.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)存，其中，該第二預(yù)充電PFET連接至全局重設(shè)信號(hào)(RESETA)。

8.如權(quán)利要求7所述的內(nèi)存，還包含連接至該鎖存器的輸入的重設(shè)信號(hào)(RESETB)，其中，當(dāng)該重設(shè)信號(hào)(RESETB)正在重設(shè)該鎖存器時(shí)，該全局重設(shè)信號(hào)(RESETA)加強(qiáng)該預(yù)充電，但該第二預(yù)充電PFET在自發(fā)預(yù)充電的情況下未完全預(yù)充電該感測(cè)線。

9.如權(quán)利要求8所述的內(nèi)存，其中，該鎖存器包含交叉耦合的NAND柵。

10.如權(quán)利要求8所述的內(nèi)存，其中，當(dāng)感測(cè)線電壓電平低于該反相器的臨限電壓時(shí)，該感測(cè)回授信號(hào)走高并且接通該NFET，而該感測(cè)線將會(huì)由該感測(cè)節(jié)點(diǎn)上拉。

11.如權(quán)利要求10所述的內(nèi)存，其中，只要該感測(cè)線電壓電平超過(guò)該反相器的該臨限電壓，該感測(cè)回授信號(hào)便會(huì)走低并且會(huì)截?cái)嘣揘FET。

12.如權(quán)利要求11所述的內(nèi)存，其中，當(dāng)該重設(shè)信號(hào)(RESETB)由低走高時(shí)，以及當(dāng)該感測(cè)線開(kāi)始放電時(shí)，該感測(cè)線會(huì)將該反相器轉(zhuǎn)向并且造成該感測(cè)回授信號(hào)走高，此時(shí)，該NFET會(huì)斷開(kāi)且該感測(cè)節(jié)點(diǎn)下拉至與該感測(cè)線相同的電壓電平。

13.如權(quán)利要求12所述的內(nèi)存，其中，一旦感測(cè)放大器已完成其感測(cè)，便開(kāi)始將該感測(cè)線預(yù)充電回到令其備妥由該預(yù)充電PFET進(jìn)行下一個(gè)運(yùn)作，接通并且開(kāi)始預(yù)充電該感測(cè)節(jié)點(diǎn)及該感測(cè)線。

14.如權(quán)利要求13所述的內(nèi)存，其中，完成感測(cè)之后，在開(kāi)始該自主預(yù)充電之前，先加入延遲組件。

15.一種電路，其包含：

反相器，其具有來(lái)自位線的輸入、及連接至第一FET的輸出；

感測(cè)節(jié)點(diǎn)，其為通過(guò)該第一FET耦合至該位線；

預(yù)充電PFET，其為耦合至該感測(cè)節(jié)點(diǎn)且其柵極連接至鎖存器的感測(cè)回授信號(hào)；

該鎖存器將該感測(cè)節(jié)點(diǎn)耦合至感測(cè)輸出；

第二FET，其與該預(yù)充電FET并聯(lián)連接；以及

重設(shè)信號(hào)(RESETB)，其連接至該鎖存器的輸入。

16.如權(quán)利要求15所述的電路，其中，該第二FET是連接至全局重設(shè)信號(hào)(RESETA)。

17.如權(quán)利要求16所述的電路，其中，當(dāng)該重設(shè)信號(hào)(RESETB)由高走低時(shí)，該鎖存器的輸出對(duì)應(yīng)于該高。

18.如權(quán)利要求17項(xiàng)所述的電路，其中：

當(dāng)位線電壓電平低于該反相器的臨限電壓時(shí)，該感測(cè)回授信號(hào)走高并且接通該第一FET，而該位線將會(huì)由該感測(cè)節(jié)點(diǎn)上拉；以及

當(dāng)該位線電壓電平超過(guò)該反相器的該臨限電壓時(shí)，該感測(cè)回授信號(hào)將會(huì)走低并且將會(huì)截?cái)嘣摰谝籉ET。