[發(fā)明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710421651.1
• 申請日: 2017-06-07
• 公開（公告）號: CN107492520A
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山下陽平
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/66
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,喬婉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及晶片的加工方法，將晶片加工成通過基板來支承器件的器件芯片，其中，該晶片在由分割預(yù)定線劃分的多個區(qū)域中形成有器件，該器件在基板的正面層疊功能層且具有多個電極。

背景技術(shù)

晶片在由分割預(yù)定線劃分的多個區(qū)域中形成有器件，該器件在基板的正面上層疊有功能層且具有多個電極，通過以能夠旋轉(zhuǎn)的方式具有切削刀具的切割裝置或照射激光光線的激光加工裝置將該晶片分割成通過基板來支承器件的器件芯片，該晶片被用于移動電話、個人計(jì)算機(jī)等電氣設(shè)備。

在晶片的基板正面上形成有層間絕緣膜(IDL)，該層間絕緣膜(IDL)是填充于構(gòu)成器件的功能層的布線間的絕緣物，通過切削刀具來切削晶片時的沖擊帶來損害，有時使該層間絕緣膜會剝離，或者產(chǎn)生損傷，導(dǎo)致與分割預(yù)定線相鄰地配設(shè)的器件變得不良。

并且，在上述的功能層由低介電常數(shù)絕緣體(Low-k膜)構(gòu)成的情況下，上述現(xiàn)象變得更顯著，因此還提出了如下的技術(shù)(例如，參照專利文獻(xiàn)1。)：在將激光光線的聚光點(diǎn)定位在分割預(yù)定線的兩側(cè)進(jìn)行照射而使功能層熔斷并沿著分割預(yù)定線形成了2條淺槽之后，將切削刀具定位在該2條淺槽的中央而將晶片分割成一個個的器件芯片，但無法完全地排除器件芯片的不良。

作為對形成在晶片上的器件的不良進(jìn)行檢測的單元，公知有探測器。該探測器由與形成在晶片上的器件的電極接觸的多個探針以及與該探針電連接的測試儀構(gòu)成，經(jīng)由探針將從測試儀發(fā)送的電信號輸入給器件，能夠根據(jù)從該器件回信的電信號而進(jìn)行檢測器件的良好與不良狀態(tài)的探測(例如，參照專利文獻(xiàn)2。)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2005-064230號公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2003-059987號公報(bào)

以往，當(dāng)在晶片上形成了器件之后，為了在實(shí)施用于分割成一個個的器件芯片的工序之前檢測器件的不良，而實(shí)施探測。但是，如上所述，由于有時在將晶片分離成器件芯片的過程中產(chǎn)生不良，因此為了更可靠地判別器件芯片的不良，需要在將晶片分割成一個個的器件芯片之后，通過探測器來實(shí)施對各個器件芯片的電極通電的探測，但是與按照晶片單位來實(shí)施探測的情況相比，存在花費(fèi)時間且生產(chǎn)性非常差這樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其主要的技術(shù)課題在于，提供如下的晶片的加工方法：通過探測而可靠地判別器件芯片的良好與不良，并且高效地生產(chǎn)器件芯片。

為了解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明，提供晶片的加工方法，將在由分割預(yù)定線劃分的多個區(qū)域中形成有器件的晶片加工成通過基板來支承器件的器件芯片，該器件在基板的正面上層疊有功能層并具有多個電極，其中，該晶片的加工方法至少包含如下的工序：分離槽形成工序，沿著分割預(yù)定線形成深度至少相當(dāng)于該器件芯片的厚度并且不到達(dá)晶片的背面的分離槽，維持該晶片的形態(tài)；品質(zhì)檢查工序，通過對形成有該分離槽的該晶片的各器件的電極通電的探測來對器件的良好與不良的品質(zhì)進(jìn)行檢查；以及背面磨削工序，在該晶片的正面上配設(shè)保護(hù)部件，對該晶片的背面進(jìn)行磨削而使分離槽在背面露出從而將晶片分割成各個器件芯片。

根據(jù)該分離槽形成工序，可以將切削刀具定位于分割預(yù)定線而沿著分割預(yù)定線形成深度至少相當(dāng)于器件芯片的厚度并且不到達(dá)晶片的背面的分離槽。或者，可以將激光光線的聚光點(diǎn)定位于分割預(yù)定線而進(jìn)行照射，沿著分割預(yù)定線形成深度至少相當(dāng)于器件芯片的厚度的分離槽。此外，該分離槽形成工序也可以由淺槽形成步驟和分離槽形成步驟構(gòu)成，其中，在該淺槽形成步驟中，將激光光線的聚光點(diǎn)定位于分割預(yù)定線的兩側(cè)而將功能層切斷，沿著分割預(yù)定線形成比相當(dāng)于器件芯片的厚度的深度淺的2條淺槽，在該分離槽形成步驟中，將切削刀具定位于2條淺槽的中央而沿著分割預(yù)定線形成深度至少相當(dāng)于器件芯片的厚度的分離槽。

在本發(fā)明的晶片的加工方法中，至少包含如下的工序：分離槽形成工序，沿著分割預(yù)定線形成深度至少相當(dāng)于該器件芯片的厚度并且不到達(dá)晶片的背面的分離槽，維持該晶片的形態(tài)；品質(zhì)檢查工序，通過對形成有該分離槽的該晶片的各器件的電極通電的探測來對器件的良好與不良的品質(zhì)進(jìn)行檢查；以及背面磨削工序，在該晶片的正面上配設(shè)保護(hù)部件，對該晶片的背面進(jìn)行磨削而使分離槽在背面露出從而將晶片分割成各個器件芯片，由此，使得在實(shí)施了有可能使器件芯片的功能層產(chǎn)生剝離或損傷的分離槽形成工序之后，以維持著該晶片的形態(tài)的狀態(tài)來實(shí)施探測，然后實(shí)施背面磨削工序而得到各個器件芯片。由此，能夠在實(shí)施了有可能給器件芯片的功能層帶來損害的分離槽形成工序之后，以維持晶片的形態(tài)的狀態(tài)高效地實(shí)施探測，能夠一邊可靠地判別品質(zhì)不良的器件芯片，一邊高效地生產(chǎn)。