[發(fā)明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710421651.1
• 申請日: 2017-06-07
• 公開（公告）號: CN107492520A
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山下陽平
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/66
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,喬婉

1.一種晶片的加工方法，將在由分割預(yù)定線劃分的多個區(qū)域中形成有器件的晶片加工成通過基板來支承器件的器件芯片，該器件在基板的正面上層疊有功能層并具有多個電極，其中，該晶片的加工方法至少包含如下的工序：

分離槽形成工序，沿著分割預(yù)定線形成深度至少相當(dāng)于該器件芯片的厚度并且不到達晶片的背面的分離槽，維持該晶片的形態(tài)；

品質(zhì)檢查工序，通過對形成有該分離槽的該晶片的各器件的電極通電的探測來對器件的良好與不良的品質(zhì)進行檢查；以及

背面磨削工序，在該晶片的正面上配設(shè)保護部件，對該晶片的背面進行磨削而使分離槽在背面露出從而將晶片分割成各個器件芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

在該分離槽形成工序中，將切削刀具定位于分割預(yù)定線而沿著分割預(yù)定線形成深度相當(dāng)于器件芯片的厚度并且不到達晶片的背面的分離槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

在該分離槽形成工序中，將激光光線的聚光點定位于分割預(yù)定線而進行照射，沿著分割預(yù)定線形成深度相當(dāng)于器件芯片的厚度的分離槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

該分離槽形成工序由淺槽形成步驟和分離槽形成步驟構(gòu)成，其中，在該淺槽形成步驟中，將激光光線的聚光點定位于分割預(yù)定線的兩側(cè)而將功能層切斷，沿著分割預(yù)定線形成比相當(dāng)于器件芯片的厚度的深度淺的2條淺槽，在該分離槽形成步驟中，將切削刀具定位于2條淺槽的中央而沿著分割預(yù)定線形成深度相當(dāng)于器件芯片的厚度的分離槽。