[發明專利]一種陣列基板和陣列基板的制作方法

有效

• 申請號: 201710420077.8
• 申請日: 2017-06-06
• 公開（公告）號: CN107068696B
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 王晶;俞健陽;王書鋒;胡凌霄
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/544;H01L21/77
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 林桐苒;李丹

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

顯示區和位于所述顯示區周邊的非顯示區，所述非顯示區中設置有第一測試單元、第二測試單元和測試焊盤，其中，所述第一測試單元和所述第二測試單元的源極連接到同一個測試焊盤，柵極連接到同一個測試焊盤，漏極連接到不同的測試焊盤；所述測試焊盤是用于測試設備的測試針扎在的焊盤；

所述第一測試單元用于對薄膜場效應晶體管的電學參數性能進行測試；

所述第二測試單元用于對所述非顯示區的柵極驅動電路進行測試。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一測試單元用于對薄膜場效應晶體管的電學參數性能進行測試，包括：

通過對所述第一測試單元的柵極加預設范圍的掃描電壓，對漏極和源極加固定電壓，測試所述漏極和所述源極的電流變化。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一測試單元是薄膜場效應晶體管，且所述第一測試單元與所述顯示區的薄膜場效應晶體管的結構和電學參數性能相同。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，每個所述測試單元的源極、柵極和漏極連接到不同的測試焊盤。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第二測試單元包括以下一個或多個測試單元：第一測試子單元、第二測試子單元和第三測試子單元；

其中，所述第一測試子單元為工作時通過正向掃描給高電位點充電的薄膜場效應晶體管；

所述第二測試子單元為工作時通過反向掃描給高電位點充電的薄膜場效應晶體管；

所述第三測試子單元為工作時給輸出充電的薄膜場效應晶體管。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，第一測試焊盤分別連接所述第一測試單元以及所述第一測試子單元、所述第二測試子單元和所述第三測試子單元的源極，第二測試焊盤分別連接所述第一測試單元以及所述第一測試子單元、所述第二測試子單元和所述第三測試子單元的柵極；

第三測試焊盤包括分離的第一子焊盤和第二子焊盤，第四測試焊盤包括分離的第三子焊盤和第四子焊盤，所述第一子焊盤、所述第二子焊盤、所述第三子焊盤和所述第四子焊盤一一對應的連接所述第一測試單元以及所述第一測試子單元、所述第二測試子單元和所述第三測試子單元的漏極。

7.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一測試子單元、所述第二測試子單元和所述第三測試子單元的溝道寬長比不同。

8.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板的顯示區和位于所述顯示區周邊的非顯示區上形成柵極金屬層；

去除部分所述柵極金屬層，形成所述顯示區中薄膜場效應晶體管的柵極圖形和所述非顯示區中測試單元的柵極圖形；

在所述基板和所述柵極圖形上形成絕緣層，去除部分絕緣層以露出部分柵極圖形；

在所述絕緣層和所述柵極圖形上形成非晶硅層，去除部分所述非晶硅層，形成所述薄膜場效應晶體管和所述測試單元的有源層圖形；

在所述絕緣層和所述有源層圖形上形成金屬層，并去除部分金屬層形成所述薄膜場效應晶體管和所述測試單元的源極圖形和漏極圖形；

其中，所述測試單元包括第一測試單元和第二測試單元，所述第一測試單元和所述第二測試單元的源極連接到同一個測試焊盤，柵極連接到同一個測試焊盤，漏極連接到不同的測試焊盤；所述測試焊盤是用于測試設備的測試針扎在的焊盤。

9.根據權利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一測試單元用于對薄膜場效應晶體管的電學參數性能進行測試；所述第一測試單元與所述顯示區的薄膜場效應晶體管的結構和電學參數性能相同；

所述第二測試單元用于對所述非顯示區的柵極驅動電路進行測試。

10.根據權利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，每個所述測試單元的源極、柵極和漏極連接到不同的測試焊盤。