[發(fā)明專利]在金屬片襯底上生長(zhǎng)的GaN納米線光催化材料及制備方法和應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710413793.3 | 申請(qǐng)日： | 2017-06-05 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107185578A | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 喻彬璐;王德法;葉金花 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 天津大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | B01J27/24 | 分類號(hào)： | B01J27/24;C01B32/40;B01J37/03;B01J37/08;B01J37/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所12201 | 代理人： | 王麗 |
| 地址： | 300072 天*** | 國(guó)省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬片 襯底 生長(zhǎng) gan 納米 光催化 材料 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種在金屬片襯底上生長(zhǎng)的GaN納米線光催化材料，其特征在于，所述光催化材料為GaN，GaN納米材料具有納米線形狀。
2.如權(quán)利要求1所述的材料，其特征在于，金屬片襯底材料包括Cu、Ni、Fe、Ti、W或其合金中的一種金屬片選作襯底。
3.權(quán)利要求1的在金屬片襯底上生長(zhǎng)的GaN納米線光催化材料的制備方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積法，具體操作步驟如下：
(1)取一水葡萄糖放入加蓋的坩堝中，再置于馬弗爐中處理，溫度為300～500℃，保溫0.5～3h，得到活性炭；
(2)用酸處理金屬片襯底后，用去離子水把金屬片表面洗凈，再用吹風(fēng)機(jī)吹干；
(3)將Ga2O3與步驟(1)中的活性炭按摩爾比1:2～1:5放入研缽中進(jìn)行研磨，混合后的樣品置于小方舟內(nèi)，再將步驟(2)中的金屬片蓋在方舟上，位于樣品的上方；
(4)將方舟放入水平管式爐的中，密封水平管式爐；啟動(dòng)真空泵，爐內(nèi)真空度抽至0.1MPa時(shí)，關(guān)閉真空泵，通入Ar氣至爐內(nèi)壓力變?yōu)槌海?/p>
(5)加熱至生長(zhǎng)溫度：900℃～1000℃，升溫階段通入Ar氣；保溫0.5h～2h，Ar氣的流量與升溫階段保持相同；然后繼續(xù)保溫，關(guān)閉Ar氣，通入NH3，氨化時(shí)間為0.5h～2h；最后關(guān)閉NH3，打開(kāi)Ar氣并冷卻至室溫。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征是Ar氣流量為60～200sccm。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征是NH3的流量為50～200sccm。
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