[發明專利]低溫多晶硅TFT基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201710412498.6
• 申請日: 2017-06-02
• 公開（公告）號: CN107046003B
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 王濤
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在基板上設置多個遮光部、以及形成緩沖層；

在緩沖層上沉積低溫多晶硅層，對低溫多晶硅層進行圖形化處理，以在每一遮光部對應上方形成一島狀多晶硅部，并對島狀多晶硅部進行無差別的整面離子摻雜；

在多晶硅層上涂布光阻，對該光阻進行圖形化處理形成光阻部，以該光阻部為掩膜對島狀多晶硅部兩側進行離子輕摻雜，形成位于島狀多晶硅部兩側的摻雜區以及位于兩側摻雜區之間的溝道區；

去除光阻部，在島狀多晶硅部上依次形成柵極絕緣層和第一金屬層，并對第一金屬層進行圖形化處理，以在島狀多晶硅部對應上方形成柵極，其中，所述柵極的寬度小于所述島狀多晶硅部的寬度，所述柵極覆蓋所述島狀多晶硅部的溝道區，且所述柵極的兩端均超出所述溝道區的兩端一段距離并覆蓋部分摻雜區；

以柵極為掩膜對未被柵極覆蓋的摻雜區進行離子重摻雜，形成位于島狀多晶硅部兩側的N型重摻雜區，并將位于N型重摻雜區與溝道區之間的摻雜區作為N型輕摻雜區；

在柵極上形成層間絕緣層、及與N型重摻雜區電連接的源極和漏極。

2.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，以光阻部為掩膜對島狀多晶硅部兩側進行離子輕摻雜的離子為P離子。

3.如權利要求2所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，以柵極為掩膜對未被柵極覆蓋的摻雜區進行離子重摻雜的離子為P離子。

4.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，對島狀多晶硅部進行無差別的整面離子摻雜的離子為B離子。

5.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，在基板上設置遮光部的步驟包括：

利用物理氣相沉積技術在基板上沉積第二金屬層并涂布光阻；

通過黃光工藝和刻蝕工藝，對第二金屬層進行刻蝕，形成相互間隔的多個遮光部。

6.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，在柵極上形成層間絕緣層，及與N型重摻雜區電連接的源極和漏極的步驟包括：

通過化學氣相沉積技術整面沉積層間絕緣層；

通過黃光制程在該層間絕緣層、柵極絕緣層上對應在N型重摻雜區的上方形成第一過孔，以使N型重摻雜區露出；

整面沉積第三金屬層，對第三金屬層進行圖案化處理形成多個源極和多個漏極，每一源極和每一漏極分別經由第一過孔與N型重摻雜區電連接。

7.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，在基板上依次形成柵極絕緣層和第一金屬層，并對第一金屬層進行圖形化處理，以在島狀多晶硅部對應上方形成柵極的步驟包括：

通過化學氣相沉積技術在基板上沉積絕緣層；

通過物理氣相沉積技術在基板上沉積第一金屬層并涂布光阻；

通過黃光工藝和刻蝕工藝，對第一金屬層進行刻蝕，形成相互間隔的多個柵極。

8.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，在柵極上形成層間絕緣層，及與N型重摻雜區電連接的源極和漏極之后，所述方法還包括：

在層間絕緣層、源極及漏極上依次沉積平坦層和公共電極材料層；

通過黃光工藝和刻蝕工藝去除位于漏極上方的公共電極材料層，以在平坦層上形成公共電極；

在平坦層和公共電極上形成鈍化層；

通過黃光制程在平坦層、鈍化層上對應在漏極的上方形成第二過孔，以使漏極露出；

整面沉積像素電極材料層，對像素電極材料層圖形化處理，以在鈍化層上形成多個像素電極，每一像素電極通過第二過孔與漏極電連接。

9.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，像素電極的制備材料為氧化銦錫。