[發(fā)明專利]氣態(tài)氚包容設(shè)施微泄漏測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710411792.5
• 申請(qǐng)日: 2017-06-05
• 公開（公告）號(hào): CN107179158B
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧勇杰;沈崇雨;朱力桂;陳世勛;高克勤;徐遠(yuǎn)翔;孟建波;張學(xué)森
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)工程物理研究院材料研究所
• 主分類號(hào): G01M3/00
• 分類號(hào): G01M3/00;G01M3/40;G01N23/00;G01N1/02;G01N1/28
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 趙志遠(yuǎn)

1.一種氣態(tài)氚包容設(shè)施微泄漏測(cè)試方法，其中，至少部分所述氚包容設(shè)施位于防護(hù)手套箱內(nèi)，所述防護(hù)手套箱位于氚包容設(shè)施操作間內(nèi)，其特征在于，所述方法包括：

利用氚電離室測(cè)試系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄所述氚包容設(shè)施操作間和所述防護(hù)手套箱內(nèi)的氚濃度；

獲取所述氚包容設(shè)施操作間和所述防護(hù)手套箱的氚濃度，判斷所述氚包容設(shè)施是否存在微泄漏；

若所述氚包容設(shè)施存在微泄漏，采用參比擦拭方法對(duì)所述氚包容設(shè)施外表面進(jìn)行取樣并制成制備樣；

采用液體閃爍譜儀對(duì)所述制備樣進(jìn)行測(cè)試，根據(jù)測(cè)試數(shù)據(jù)判斷微泄漏點(diǎn)的位置；

根據(jù)監(jiān)測(cè)結(jié)果，判斷氚濃度是否高于閾值，若是，初步判斷所述氚包容設(shè)施存在微泄漏；

根據(jù)所述氚包容設(shè)施操作間和所述防護(hù)手套箱的氚濃度變化情況，確定微泄漏的區(qū)域；

若所述防護(hù)手套箱內(nèi)的氚濃度出現(xiàn)異常升高，則判定所述氚包容設(shè)施的微泄漏點(diǎn)位于所述防護(hù)手套箱內(nèi)；

若所述氚包容設(shè)施操作間內(nèi)的氚濃度出現(xiàn)異常升高，則判定所述氚包容設(shè)施的微泄漏點(diǎn)位于所述防護(hù)手套箱外的所述氚包容設(shè)施局部區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣態(tài)氚包容設(shè)施微泄漏測(cè)試方法，其特征在于，所述采用參比擦拭方法對(duì)所述氚包容設(shè)施外表面進(jìn)行取樣并制成制備樣的步驟包括：

使用浸濕的脫脂棉，在所述氚包容設(shè)施的不同位置分別取樣，得到擦拭樣，并記錄每個(gè)擦拭樣的擦拭位置；

利用閃爍液對(duì)擦拭樣進(jìn)行制樣，形成制備樣。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣態(tài)氚包容設(shè)施微泄漏測(cè)試方法，其特征在于，所述在所述氚包容設(shè)施的不同位置分別取樣的步驟包括：

在所述氚包容設(shè)施的疑似泄漏部位以及所述氚包容設(shè)施的不易泄漏部位各取至少三個(gè)擦拭樣。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣態(tài)氚包容設(shè)施微泄漏測(cè)試方法，其特征在于，所述采用液體閃爍譜儀對(duì)所述制備樣進(jìn)行測(cè)試，根據(jù)測(cè)試數(shù)據(jù)判斷微泄漏點(diǎn)的位置的步驟包括：

將多個(gè)所述制備樣采用所述液體閃爍譜儀進(jìn)行測(cè)試，并記錄每個(gè)所述制備樣對(duì)應(yīng)的測(cè)試數(shù)據(jù)；

對(duì)比所述氚包容設(shè)施的疑似泄漏部位的所述制備樣的計(jì)數(shù)與所述氚包容設(shè)施的不易泄漏部位的所述制備樣的計(jì)數(shù)；

當(dāng)所述氚包容設(shè)施的疑似泄漏部位的所述制備樣的計(jì)數(shù)大于所述氚包容設(shè)施的不易泄漏部位的所述制備樣的計(jì)數(shù)的三倍時(shí)，則判定該疑似部位為微泄漏點(diǎn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氣態(tài)氚包容設(shè)施微泄漏測(cè)試方法，其特征在于，若所述氚包容設(shè)施的疑似泄漏部位的所述制備樣的計(jì)數(shù)小于所述氚包容設(shè)施的不易泄漏部位的所述制備樣的計(jì)數(shù)的三倍，則重復(fù)下述步驟：

采用參比擦拭方法對(duì)所述氚包容設(shè)施外表面進(jìn)行取樣并制成制備樣；

采用液體閃爍譜儀對(duì)所述制備樣進(jìn)行測(cè)試，根據(jù)測(cè)試數(shù)據(jù)判斷微泄漏點(diǎn)的位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氣態(tài)氚包容設(shè)施微泄漏測(cè)試方法，其特征在于，所述氚包容設(shè)施操作間和所述防護(hù)手套箱均通過管路與所述氚電離室測(cè)試系統(tǒng)連通。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣態(tài)氚包容設(shè)施微泄漏測(cè)試方法，其特征在于，所述氚電離室測(cè)試系統(tǒng)的探測(cè)下限低于3.0×10^-9Ci/L。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣態(tài)氚包容設(shè)施微泄漏測(cè)試方法，其特征在于，所述氚包容設(shè)施的疑似泄漏部位的所述擦拭樣以及所述氚包容設(shè)施的不易泄漏部位的所述擦拭樣分別為三個(gè)。