[發明專利]一種陶瓷電路基板的制備方法

在審

• 申請號: 201710410764.1
• 申請日: 2017-06-04
• 公開（公告）號: CN107176849A
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發明（設計）人: 于澤洪
• 申請（專利權）人: 于澤洪
• 主分類號: C04B35/82
• 分類號: C04B35/82;C04B35/10;C04B35/622;C04B35/645;C04B41/85;C04B41/83;C04B41/82;C09D163/00;C09D7/12;H05K1/03;H05K1/02
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技術領域

本發明涉及一種陶瓷電路基板的制備方法，屬于電路板技術領域。

背景技術

隨著電子科技的不斷發展，電路技術也不斷向前推進，其中，印刷電路板，即PCB電路板已經成為一種不可或缺的電子部件。自上世紀90年代以來，世界各國已逐漸將印刷電路板改稱為電子基板，標志著傳統的印刷電路板已經進入多層基板時代。

電路基板，按照電路基板多采用的材料，可分為無機基板材料、有機基板材料以及復合基板材料三大類。傳統的無機基板以氧化鋁、碳化硅、氮化鋁等為基材，由于這些材料在熱導率、抗彎強度以及熱膨脹系數風方面具有良好的性能，目前已經開始廣泛用于電路基板行業。現今，國內外開發的繼承電路基板用材料主要采用的是低溫燒結基板材料，大致可分為兩類，一類是微晶玻璃系，另一類是玻璃加陶瓷系。其中考慮到各種基板用材料的特性，目前使用作為廣泛的是氧化鋁基體材料。氧化鋁陶瓷集成電路基板材料的相對密度在燒結溫度為1100℃時密度最大，力學性能相應的也較為優秀。

但是氧化鋁基的電路基板還是存一些問題，例如韌性較差，易碎等，而且由于氧化鋁陶瓷中堿金屬氧化物含量較高，導致介電常數較低，介質損耗上升，對于陶瓷不利。

因此，如何提高氧化鋁陶瓷的介電常數，進一步提高氧化鋁陶瓷的力學性能，使其滿足應用的需求，是未來氧化鋁陶瓷電路基板面臨的問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于：現有鋁基板覆膜加工精度不高，涂層性能不持久的問題，為改善該缺陷，克服其不足，本發明提供一種PCB鉆孔用涂膜鋁基板的制備方法。

技術方案：

一種陶瓷電路基板的制備方法，包括如下步驟：

第1步、制備陶瓷基板：按重量份計，取納米氧化鋁65.0～85.0份、氧化鎂4.0～8.0份、氧化鋅2.0～5.0份、鈦酸鈉1.0～3.0份、三氯化鑭0.01～0.05份、氧化釔0.03～0.08份、高嶺土3.0～5.0份和玻璃纖維1.0～4.0份放入研磨機中研磨分散均勻之后，放入模具，冷壓成型，再進行高溫煅燒，冷卻后取出，即制備得到陶瓷基板；

第2步、改性環氧樹脂的制備：按重量份計，取雙酚A 16.0～28.0份、環氧氯丙烷22.0～32.0份、苯甲酰氯5.0～15.0份、3-羥基戊二酸3.0～7.0份、聚甲基丙烯酸甲酯8.0～12.0份、聚對苯二甲酸乙二醇酯3.0～5.0份、丙烯酸丁酯8.0～15.0份、丙烯酸酯化聚氨酯5.0～25.0份和堿金屬氫氧化物的水溶液200～260L混合均勻，75～85℃加熱反應，反應結束后蒸發除去水份，加入溶劑丙酮或丁醚110.0～150.0份，經水洗后，脫溶劑，得到改性環氧樹脂；

第3步、按重量份計，取改性環氧樹脂、聚醚改性有機硅樹脂5.0～10.0份、納米氧化鈦3.0～6.0份、超細硅酸鋁3.0～7.0份、甲基硅油3.0～8.0份、偶聯劑8.0～12.0份、成膜助劑0.5～1.2份和去離子水30.0～50.0份，混合均勻后，涂覆于陶瓷基板之上，固化，即可。

作為優選，所述的第1步中，煅燒溫度為900℃～1080℃。

作為優選，所述的第1步中，煅燒壓力為500～850MPa。

作為優選，所述的第1步中，煅燒時間為2～6h。

作為優選，所述第1步中，堿金屬氫氧化物為氫氧化鈉。

作為優選，所述第1步中，堿金屬氫氧化物的水溶液中的堿金屬氫氧化物物質的量濃度為2.2～3.8mol/L。

作為優選，所述的第3步中，偶聯劑為KH550硅烷偶聯劑或KH560硅烷偶聯劑。

作為優選，所述的第3步中，成膜助劑為醇酯十二。

有益效果：

本發明提供的陶瓷電路基板的制備方法，是以氧化鋁為主體材料制備的陶瓷基板，并在陶瓷基板之上涂覆一層改性環氧樹脂膜，不僅能夠提高陶瓷基板的力學性能，也利于對于陶瓷電路的保護，延長其使用壽命。

具體實施方式

為了進一步理解本發明，下面結合實施例對本發明優選實施方案進行描述，但是應當理解，這些描述只是為進一步說明本發明的特征和優點，而不是對本發明權利要求的限制。

實施例1

一種陶瓷電路基板的制備方法，包括如下步驟：