[發(fā)明專利]一種陶瓷電路基板的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710410764.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107176849A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-09-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于澤洪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 于澤洪 |
| 主分類號(hào): | C04B35/82 | 分類號(hào): | C04B35/82;C04B35/10;C04B35/622;C04B35/645;C04B41/85;C04B41/83;C04B41/82;C09D163/00;C09D7/12;H05K1/03;H05K1/02 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 644300 四川省宜賓*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陶瓷 路基 制備 方法 | ||
1.一種陶瓷電路基板的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
第1步、制備陶瓷基板:按重量份計(jì),取納米氧化鋁65.0~85.0份、氧化鎂4.0~8.0份、氧化鋅2.0~5.0份、鈦酸鈉1.0~3.0份、三氯化鑭0.01~0.05份、氧化釔0.03~0.08份、高嶺土3.0~5.0份和玻璃纖維1.0~4.0份放入研磨機(jī)中研磨分散均勻之后,放入模具,冷壓成型,再進(jìn)行高溫煅燒,冷卻后取出,即制備得到陶瓷基板;
第2步、改性環(huán)氧樹(shù)脂的制備:按重量份計(jì),取雙酚A 16.0~28.0份、環(huán)氧氯丙烷22.0~32.0份、苯甲酰氯5.0~15.0份、3-羥基戊二酸3.0~7.0份、聚甲基丙烯酸甲酯8.0~12.0份、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯3.0~5.0份、丙烯酸丁酯8.0~15.0份、丙烯酸酯化聚氨酯5.0~25.0份和堿金屬氫氧化物的水溶液200~260L混合均勻,75~85℃加熱反應(yīng),反應(yīng)結(jié)束后蒸發(fā)除去水份,加入溶劑丙酮或丁醚110.0~150.0份,經(jīng)水洗后,脫溶劑,得到改性環(huán)氧樹(shù)脂;
第3步、按重量份計(jì),取改性環(huán)氧樹(shù)脂、聚醚改性有機(jī)硅樹(shù)脂5.0~10.0份、納米氧化鈦3.0~6.0份、超細(xì)硅酸鋁3.0~7.0份、甲基硅油3.0~8.0份、偶聯(lián)劑8.0~12.0份、成膜助劑0.5~1.2份和去離子水30.0~50.0份,混合均勻后,涂覆于陶瓷基板之上,固化,即可。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電路基板的制備方法,其特征在于:所述的第1步中,煅燒溫度為900℃~1080℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電路基板的制備方法,其特征在于:所述的第1步中,煅燒壓力為500~850MPa。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電路基板的制備方法,其特征在于:所述的第1步中,煅燒時(shí)間為2~6h。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電路基板的制備方法,其特征在于:所述第1步中,堿金屬氫氧化物為氫氧化鈉。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電路基板的制備方法,其特征在于:所述第1步中,堿金屬氫氧化物的水溶液中的堿金屬氫氧化物物質(zhì)的量濃度為2.2~3.8mol/L。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電路基板的制備方法,其特征在于:所述的第3步中,偶聯(lián)劑為KH550硅烷偶聯(lián)劑或KH560硅烷偶聯(lián)劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電路基板的制備方法,其特征在于:所述的第3步中,成膜助劑為醇酯十二。
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