[發明專利]一種聚乙二醇輔助制備純無機鈣鈦礦薄膜的方法

有效

• 申請號: 201710401137.1
• 申請日: 2017-05-31
• 公開（公告）號: CN107324665B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 孫洪濤;周陽;雍自俊;陳雅蒙;馬桔萍
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: C03C17/22
• 分類號: C03C17/22;C09K11/02;C09K11/66
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 陶海鋒;孫周強

1.一種聚乙二醇輔助制備純無機鈣鈦礦薄膜的方法，其特征在于，步驟為，將0.0630g的溴化鉛、0.0384g溴化銫溶于0.5ml DMSO中，得到15.57wt%純無機CsPbBr₃前驅體溶液A；稱量0.04g聚乙二醇溶于2ml DMSO中，得到20mg/ml PEG溶液B；取150ul 前驅物溶液A，再移取265ul聚乙二醇溶液B，混合得到溶液C，此時溶液C中CsPbBr₃濃度為6.25wt%，PEG濃度為1.15wt%，室溫攪拌4h；將溶液C均勻覆蓋在載玻片上以3000rpm旋涂60s，并在70℃下干燥5min，得到純無機鈣鈦礦薄膜；所述聚乙二醇的平均分子質量為20000。

2.一種聚乙二醇輔助制備純無機鈣鈦礦薄膜的方法，其特征在于，步驟為，將0.0658g的溴化鉛、0.0403g溴化銫溶于0.5ml DMSO中，得到16.15%純無機CsPbBr3前驅體溶液A；稱量0.04g聚乙二醇溶于2ml DMSO中，得到20mg/ml PEG溶液B；取150ul 前驅物溶液A，再移取265ul聚乙二醇溶液B，混合得到溶液C，此時溶液C中CsPbBr3濃度為6.5wt%，PEG濃度為1.15wt%，室溫攪拌4h；將溶液C均勻覆蓋在載玻片上以3000rpm旋涂60s，并在70℃下干燥5min，得到純無機鈣鈦礦薄膜；所述聚乙二醇的平均分子質量為20000。